[发明专利]一种等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置。

背景技术

在众多半导体工艺中，刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀采用化学腐蚀进行，是传统的刻蚀工艺。它具有各向同性的缺点，即在刻蚀过程中不但有所需要的纵向刻蚀，也有不需要的横向刻蚀，因而精度差，线宽一般在3μm以上。干法刻蚀是因大规模集成电路生产的需要而开发的精细加工技术，它具有各向异性特点，在最大限度上保证了纵向刻蚀，还可以控制横向刻蚀。干法刻蚀通常通过等离子体刻蚀机来实现。

典型的等离子体刻蚀机主要包括传输模块(Transfer Module)、工艺模块(Process Module)。传输模块由晶圆装载装置(loadport)、机械手(Robot)、硅片中心检测器等主要部件组成，其功能是将硅片从硅片盒传送到工艺模块。工艺模块(PM)是整个等离子体刻蚀机的核心，刻蚀工艺就在PM中完成。一个机台可以带2-4个工艺模块，工艺模块包括反应腔、真空及压力控制系统、射频(RF)系统、静电卡盘和硅片温度控制系统、气体流量控制系统以及刻蚀终点检测系统等。

请参看图1，图1为现有技术的等离子体刻蚀机反应腔的部分结构示意图。如图1所示，现有技术的等离子体刻蚀机反应腔(图1中未示)中包括有静电卡盘(图1中未示)和均匀环100，所述静电卡盘用于放置被传送至反应腔中的硅片，所述均匀环100设置于所述静电卡盘的上方，用于使产生的等离子体均匀且集中的轰击至硅片的表面。所述均匀环100通过三根贯穿反应腔壁的连杆101得到支撑，所述连杆101的另一端连接位于所述反应腔外的支架102，通过所述支架102带动所述连杆101实现使所述均匀环100的上下移动。当硅片被传送至所述静电卡盘上时，所述支架102带动所述连杆101使所述均匀环100下降至硅片的上方，当硅片在所述静电卡盘上完成刻蚀需被传出反应腔时，所述支架102带动所述连杆101使所述均匀环100上升，从而使硅片顺利移出。但如图1所示，现有技术中，带动所述均匀环100进行上下移动的所述连杆101为三根，且其位置关系为三角状，当所述支架102的一角或所述连杆101中的一根或两根因发生故障未能正常升降时必将导致所述均匀环100的位置发生倾斜，从而使得硅片在进入反应腔或被送出反应腔时与所述均匀环100发生摩擦对硅片造成损伤。一旦发生此类问题，现有技术中因没有及时有效的报警系统，使得问题不能够被及时发现，通常会出现进入反应腔进行刻蚀的多达100片的硅片都因所述均匀环100的倾斜而造成损伤后，工作人员才会发现问题关停机器进行维修，这样造成的损失较大，而且为了尽量避免造成这种损失，还需要有工作人员密切关注反应腔外的三根连杆101和支架102的上下移动情况，因此人力成本也较大。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置，以解决现有技术中等离子体刻蚀机反应腔中均匀环发生倾斜造成反应腔中硅片损伤时工作人员无法及时发现的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置，包括：至少两个并联的触发器，所述并联的触发器的一端连接电源，另一端连接报警器，所述报警器的另一端接地。

可选的，所述触发器包括第一金属薄片、第二金属薄片和第三金属薄片，所述第一金属薄片和第三金属薄片平行排列；第二金属薄片位于第一金属薄片和第三金属薄片之间且同所述第一金属薄片和第三金属薄片不接触，当所述第二金属薄片发生倾斜时可同所述第一金属薄片或第三金属薄片相接触。

本发明还提供一种等离子体刻蚀机反应腔，包括均匀环和支撑均匀环的连杆，还包括如上所述的等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置，所述警报装置的触发器上的第一金属薄片和第三金属薄片安装于所述反应腔壁上，所述第二金属薄片安装于所述连杆上。

可选的，所述连杆至少为2根，所述单个触发器上的第二金属薄片安装于所述连杆的一根之上。

本发明提供的等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置，通过在等离子体刻蚀机反应腔的外壁和支撑反应腔内均匀环的连杆上结合安装触发器，使得当均匀环发生倾斜故障时触发器导通从而使报警器及时发出警报。本发明的警报装置可在均匀环发生倾斜时就立即发出故障警报，这样最多只会使反应腔内的一片硅片受损，可有效避免更多的硅片在反应腔内受损从而造成较大的损失，同时使用了该警报装置后就无需有工作人员密切关注反应腔外的连杆和支架的上下移动情况，因此可有效节省人力成本。

附图说明