[发明专利]掩模版和掩模版制作方法

权利要求书

1.一种掩模版，适于焦面曝光矩阵曝光测试，包括：

基底；

位于所述基底一侧的具有不同厚度的多个掩模部件，所述掩模部件表面具有掩模标记，所述掩模标记设置于所述掩模部件在曝光过程中光线出射一侧的表面；

覆盖于所述基底的具有多种透光率的滤光膜。

2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述滤光膜与所述掩模部件分别位于所述基底的两侧，其中，所述滤光膜设置于所述基底在曝光过程中光线入射一侧的表面，所述掩模部件设置于所述基底在曝光过程中光线出射一侧的表面。

3.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述滤光膜与所述掩模部件依次位于所述基底的同侧，其中，所述滤光膜设置于所述基底在曝光过程中光线出射一侧的表面，所述掩模部件设置于所述滤光膜光线出射一侧的表面。

4.如权利要求1至3之一所述的掩模版，其特征在于，所述具有不同厚度的多个掩模部件沿第一轴分布，所述具有多种透光率的滤光膜沿与所述第一轴垂直的第二轴分布。

5.如权利要求2或3所述的掩模版，其特征在于，任一个掩模部件对应于多种透光率。

6.如权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述滤光膜的透光率根据曝光剂量决定。

7.如权利要求6所述的掩模版，其特征在于，对应于每一个掩模部件的滤光膜中，透光率呈梯度分布。

8.如权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述掩模部件的厚度根据所述曝光过程中的物距决定。

9.如权利要求8所述的掩模版，其特征在于，多个所述掩模部件之间的厚度依次呈梯度分布。

10.如权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述掩模部件为条形掩模。

11.如权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述掩模标记为包括至少两个不同线宽的的子标记。

12.如权利要求11所述的掩模版，其特征在于，所述子标记的线条均匀分布。

13.一种掩模版制作方法，适于制作用于焦面曝光矩阵曝光测试的掩模版，所述掩模版制作方法包括：

准备基底；

形成与所述基底连接且具有不同厚度的多个掩模部件，所述掩模部件位于曝光过程中基底出射光线一侧的表面；

在所述掩模部件与所述基底不相连接的表面形成掩模标记；

形成覆盖所述基底的具有多种透光率的滤光膜，所述滤光膜位于曝光过程中基底入射光线一侧的表面。

14.如权利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述具有不同厚度的多个掩模部件沿第一轴分布，所述具有多种透光率的滤光膜沿与所述第一轴垂直的第二轴分布。

15.如权利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述掩模部件之间的厚度依次呈梯度分布。

16.如权利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述掩模部件为条形掩模。

17.如权利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述形成掩模标记包括：在所述掩模部件曝光过程中出射光线一侧的表面进行刻蚀，形成掩模标记。

18.如权利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述掩模标记为包括至少两个以上不同线宽的子标记。

19.如权利要求18所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述子标记的线条均匀分布。

20.如权利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，形成所述滤光膜包括：对应于每个掩模部件的滤光膜包含多种透光率。

21.如权利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，对应于每个掩模部件的滤光膜中，透光率呈梯度分布。

22.一种掩模版制作方法，适于制作用于焦面曝光矩阵曝光测试的掩模版，包括：

准备基底；

形成覆盖所述基底的具有多种透光率的滤光膜，所述滤光膜位于曝光过程中基底出射光线一侧的表面；

形成与所述滤光膜连接且具有不同厚度的多个掩模部件，所述掩模部件位于曝光过程中所述滤光膜出射光线一侧的表面；

在所述掩模部件与所述滤光膜不相连接的表面形成掩模标记。