[发明专利]有机发光显示装置和薄膜沉积设备有效
申请号: | 201010216896.9 | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN101930993A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 李廷敏;李忠浩 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 薄膜 沉积 设备 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基底,包括彼此平行地布置的多个沉积区域;
至少一个薄膜晶体管,形成在基底上,所述至少一个薄膜晶体管包括半导体有源层、与半导体有源层绝缘的栅电极、接触半导体有源层的源电极和漏电极;
多个像素电极,形成在薄膜晶体管上;
多个有机层,形成在每个像素电极上;
相对电极,形成在有机层上,
其中,设置在基底的每个沉积区域中的所述多个有机层具有阴影区域,所述阴影区域距对应的沉积区域的中心的距离越远,所述阴影区域越大。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,每个有机层包括左侧阴影区域和右侧阴影区域,从对应的沉积区域的中心到左侧阴影区域和右侧阴影区域中的一个阴影区域的距离越远,左侧阴影区域和右侧阴影区域中的所述一个阴影区域越是大于左侧阴影区域和右侧阴影区域中的另一个阴影区域。
3.如权利要求2所述的有机发光装置,其中,有机层位于距对应的沉积区域的中心越是偏左,该有机层的左侧阴影区域越大,有机层位于距对应的沉积区域的中心越是偏右,该有机层的右侧阴影区域越大。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在形成在基底上的所述多个有机层中的在对应的沉积区域的中心处的有机层具有尺寸相同的左侧阴影区域和右侧阴影区域。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在形成在基底上的所述多个有机层中的在沉积区域的中心处的有机层具有的阴影区域在对应的沉积区域中的其他有机层中是最小的。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述多个有机层在每个沉积区域中关于对应的沉积区域的中心对称。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,形成的所述多个有机层在每个沉积区域中具有相同的图案。
8.一种薄膜沉积设备,该设备用于在基底上形成薄膜,所述设备包括:
沉积源,排放沉积材料;
第一喷嘴,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个第一缝隙;
第二喷嘴,设置为与第一喷嘴相对,并包括沿第一方向布置的多个第二缝隙;
障碍墙组件,沿第一方向设置在第一喷嘴和第二喷嘴之间,并包括将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍墙,
其中,沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件能够相对于基底移动,或者基底能够相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件移动。
9.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,距对应的子沉积空间的中心的距离越远,在基底上形成的多个薄膜在每个子沉积空间内具有越大的阴影区域。
10.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,形成在基底上的所述多个薄膜中的每个薄膜包括左侧阴影区域和右侧阴影区域,从对应的子沉积空间的中心到左侧阴影区域和右侧阴影区域中的一个阴影区域的距离越远,左侧阴影区域和右侧阴影区域中的所述一个阴影区域越是大于左侧阴影区域和右侧阴影区域中的另一个阴影区域。
11.如权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中,有机层位于距对应的子沉积空间的中心越是偏左,该有机层的左侧阴影区域越大,有机层位于距对应的子沉积空间的中心越是偏右,该有机层的右侧阴影区域越大。
12.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,在形成在基底上的所述多个薄膜中的在每个子沉积空间的中心处的薄膜具有尺寸相同的左侧阴影区域和右侧阴影区域。
13.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,在所述多个薄膜中的在每个子沉积空间的中心处的薄膜具有的阴影区域在对应的子沉积空间中的其他有机层中是最小的。
14.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,形成在基底上的所述多个薄膜在每个子沉积空间内关于对应的子沉积空间的中心对称。
15.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,每个障碍墙沿与第一方向垂直的第二方向延伸,以将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为所述多个子沉积空间。
16.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个障碍墙按相等的间距布置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010216896.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含有钇稳定二氧化锆的牙齿修复体用陶瓷贴面
- 下一篇:一种半持久调度方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的