[发明专利]有机发光显示装置和薄膜沉积设备有效

专利信息
申请号: 201010216896.9 申请日: 2010-06-24
公开(公告)号: CN101930993A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 李廷敏;李忠浩 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 郭鸿禧;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示装置 薄膜 沉积 设备
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示装置,包括:

基底,包括彼此平行地布置的多个沉积区域;

至少一个薄膜晶体管,形成在基底上,所述至少一个薄膜晶体管包括半导体有源层、与半导体有源层绝缘的栅电极、接触半导体有源层的源电极和漏电极;

多个像素电极,形成在薄膜晶体管上;

多个有机层,形成在每个像素电极上;

相对电极,形成在有机层上,

其中,设置在基底的每个沉积区域中的所述多个有机层具有阴影区域,所述阴影区域距对应的沉积区域的中心的距离越远,所述阴影区域越大。

2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,每个有机层包括左侧阴影区域和右侧阴影区域,从对应的沉积区域的中心到左侧阴影区域和右侧阴影区域中的一个阴影区域的距离越远,左侧阴影区域和右侧阴影区域中的所述一个阴影区域越是大于左侧阴影区域和右侧阴影区域中的另一个阴影区域。

3.如权利要求2所述的有机发光装置,其中,有机层位于距对应的沉积区域的中心越是偏左,该有机层的左侧阴影区域越大,有机层位于距对应的沉积区域的中心越是偏右,该有机层的右侧阴影区域越大。

4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在形成在基底上的所述多个有机层中的在对应的沉积区域的中心处的有机层具有尺寸相同的左侧阴影区域和右侧阴影区域。

5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在形成在基底上的所述多个有机层中的在沉积区域的中心处的有机层具有的阴影区域在对应的沉积区域中的其他有机层中是最小的。

6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述多个有机层在每个沉积区域中关于对应的沉积区域的中心对称。

7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,形成的所述多个有机层在每个沉积区域中具有相同的图案。

8.一种薄膜沉积设备,该设备用于在基底上形成薄膜,所述设备包括:

沉积源,排放沉积材料;

第一喷嘴,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个第一缝隙;

第二喷嘴,设置为与第一喷嘴相对,并包括沿第一方向布置的多个第二缝隙;

障碍墙组件,沿第一方向设置在第一喷嘴和第二喷嘴之间,并包括将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍墙,

其中,沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件能够相对于基底移动,或者基底能够相对于沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件移动。

9.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,距对应的子沉积空间的中心的距离越远,在基底上形成的多个薄膜在每个子沉积空间内具有越大的阴影区域。

10.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,形成在基底上的所述多个薄膜中的每个薄膜包括左侧阴影区域和右侧阴影区域,从对应的子沉积空间的中心到左侧阴影区域和右侧阴影区域中的一个阴影区域的距离越远,左侧阴影区域和右侧阴影区域中的所述一个阴影区域越是大于左侧阴影区域和右侧阴影区域中的另一个阴影区域。

11.如权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中,有机层位于距对应的子沉积空间的中心越是偏左,该有机层的左侧阴影区域越大,有机层位于距对应的子沉积空间的中心越是偏右,该有机层的右侧阴影区域越大。

12.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,在形成在基底上的所述多个薄膜中的在每个子沉积空间的中心处的薄膜具有尺寸相同的左侧阴影区域和右侧阴影区域。

13.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,在所述多个薄膜中的在每个子沉积空间的中心处的薄膜具有的阴影区域在对应的子沉积空间中的其他有机层中是最小的。

14.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,形成在基底上的所述多个薄膜在每个子沉积空间内关于对应的子沉积空间的中心对称。

15.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,每个障碍墙沿与第一方向垂直的第二方向延伸,以将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为所述多个子沉积空间。

16.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个障碍墙按相等的间距布置。

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