[发明专利]一种TO220封装MOSFET多管并联的安装连接方法无效
| 申请号： | 201010217118.1 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102315808A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李桃峰 | 申请（专利权）人： | 西安新大良电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02P6/00 | 分类号： | H02P6/00;H05K7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 to220 封装 mosfet 并联 安装 连接 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种TO220封装MOSFET多管并联的安装连接方法，其步骤是：
将MOSFET垂直焊接在线路板(7)的两边，上管的S(漏极)靠近下管的D(源极)；
把各组上管MOSFET的散热镀锡铜板(4)通过螺丝固定在一块上管散热铝板(5)上，这块铝板作为电源的正极接入端与电源正极接入导线相接；
上管的管脚(3)与下管的管脚(2)通过电子线路板(7)焊接在一起；
把各组下管的散热镀锡铜板(4)用螺丝固定在独立的下管散热铝板(6)上，下管散热铝板(6)用导线与电机绕组相连；
下管的管脚(3)焊接在电子线路板(7)上，且在线路板(7)与下管的管脚(3)的焊点连线上留5-15毫米宽度的敷铜铂，再用一个5-15毫米宽电源的负连接铝板(9)通过螺丝固定在敷铜铂的表面，电源的负连接铝板(9)通过导线与电源负极相连。
2.如权利要求1所述的一种TO220封装MOSFET多管并联的安装连接方法，其中每组上管MOSFET或下管MOSFET所并联的MOSFET的个数为正整数。
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