[发明专利]一种检测器件肖特基漏电模式的方法

权利要求书

1.一种检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，该方法首先制作不同半径的圆形肖特基测试图形，然后对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，通过数值的拟和，获得泄漏电流同半径之间的相关性，然后根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式。

2.根据权利要求1所述的检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，所述制作不同半径的圆形肖特基测试图形，包括：

在外延材料上制作不同直径的肖特基二极管，直径的大小分别为：50μm、75μm、150μm、200μm、250μm和350μm。

3.根据权利要求1所述的检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，所述对不同半径下的肖特基测试图形进行直流的测量，包括：

测量不同直径下的肖特基二极管的I-V曲线，得到恒定的反向栅压时的反向电流的大小，然后通过Origin分析软件，得到某一恒定栅压下的反向漏电流同直径之间的关系曲线。

4.根据权利要求3所述的检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，所述通过数值的拟和，获得泄漏电流同半径之间的相关性，包括：

对该关系曲线的坐标分别取对数坐标，经过Origin的拟和，得到直线的斜率。

5.根据权利要求4所述的检测器件肖特基漏电模式的方法，其特征在于，所述根据该相关性准确确定器件的肖特基漏电模式，包括：

由得到的直线斜率大小，对器件漏泄电流进行失效分析，若斜率的值为2，说明漏泄电流正比于器件面积，漏电由金属半导体界面的质量差引起；若斜率的值为1，则漏电由边缘效应引起；若斜率的值介于1与2之间，则说明漏电由边缘效应和金属半导体界面的退化共同作用引起。