[发明专利]一种直接液冷芯片强化传热表面的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010217353.9 申请日: 2010-06-23
公开(公告)号: CN101916717A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 王育人;曹鹤 申请(专利权)人: 中国科学院力学研究所
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L23/373
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 尹振启;马知非
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 直接 芯片 强化 传热 表面 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种新的直接液冷芯片强化传热表面制备方法,其特征为,包括以下步骤:

a、使用LB膜法、自组装法、旋涂法或者竖片生长法在基体上制备出具有规则结构的模板;

b、使用溶胶-凝胶法填充由步骤a中制成的模板;

c、使用煅烧或溶解方法去除所述模板,获得带有表面微结构的强化传热表面。

2.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所述模板由高分子胶体微球组成。

3.根据权利要求2所述制备方法,其特征为,所述高分子胶体微球为聚苯乙烯胶体微球,其尺寸范围在90nm-10μm之间。

4.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所制备的强化表面为规则有序的单层孔结构薄膜。

5.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所制备的强化表面为规则有序的多层结构薄膜。

6.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所制备的强化表面的微结构特征尺寸为微米级亚微米量级。

7.根据权利要求4所述制备方法,其特征为,所制备的单层结构薄膜强化表面的微结构为凹形孔穴结构。

8.根据权利要求5所述制备方法,其特征为,所制备的多层结构薄膜强化表面的微结构为蛋白石反结构。

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