[发明专利]一种直接液冷芯片强化传热表面的制备方法无效
申请号: | 201010217353.9 | 申请日: | 2010-06-23 |
公开(公告)号: | CN101916717A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 王育人;曹鹤 | 申请(专利权)人: | 中国科学院力学研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/373 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启;马知非 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直接 芯片 强化 传热 表面 制备 方法 | ||
1.一种新的直接液冷芯片强化传热表面制备方法,其特征为,包括以下步骤:
a、使用LB膜法、自组装法、旋涂法或者竖片生长法在基体上制备出具有规则结构的模板;
b、使用溶胶-凝胶法填充由步骤a中制成的模板;
c、使用煅烧或溶解方法去除所述模板,获得带有表面微结构的强化传热表面。
2.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所述模板由高分子胶体微球组成。
3.根据权利要求2所述制备方法,其特征为,所述高分子胶体微球为聚苯乙烯胶体微球,其尺寸范围在90nm-10μm之间。
4.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所制备的强化表面为规则有序的单层孔结构薄膜。
5.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所制备的强化表面为规则有序的多层结构薄膜。
6.根据权利要求1所述制备方法,其特征为,所制备的强化表面的微结构特征尺寸为微米级亚微米量级。
7.根据权利要求4所述制备方法,其特征为,所制备的单层结构薄膜强化表面的微结构为凹形孔穴结构。
8.根据权利要求5所述制备方法,其特征为,所制备的多层结构薄膜强化表面的微结构为蛋白石反结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院力学研究所,未经中国科学院力学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010217353.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造