[发明专利]石墨烯晶片、制造石墨烯晶片的方法、释放石墨烯层的方法和制造石墨烯器件的方法

权利要求书

1.一种用于从衬底释放石墨烯层的方法，包括：

在第一衬底的表面上形成石墨烯层；

在石墨烯层的表面上形成金属层；以及

在金属层上施加拉力以便将石墨烯层与第一衬底分开。

2.一种用于制造石墨烯晶片的方法，包括：

在第一衬底的表面上形成石墨烯层；

在石墨烯层的表面上形成金属层；以及

在金属层上施加拉力以便将石墨烯层与第一衬底分开；

借助分子间力将被释放的石墨烯层结合到与第一衬底分离的第二衬底的表面上或者结合到形成在第二衬底的表面上的结合层的表面上；以及

除去金属层。

3.根据权利要求2的方法，进一步包括：

在第一衬底上形成金属层后，在金属层上形成支撑体结合层(122)，然后在支撑体结合层(122)上形成支撑体(124)；以及

在支撑体(124)上施加拉力以将石墨烯层与第一衬底分开。

4.根据权利要求2的方法，其中第一衬底是SiC衬底或Si衬底。

5.根据权利要求2的方法，金属层包含选自包括Ti、Ni、Al、Cu、Cr、In和Pd的组的一种或多种元素。

6.根据权利要求2的方法，其中结合层是由选自包括氧化物层、氮化物层和氮氧化物层的组的至少一个形成的层，其中所述氧化物层、氮化物层和氮氧化物层包含Si。

7.一种用于释放石墨烯层的方法，包括：

在第一衬底的表面上形成石墨烯层；

对石墨烯层进行构图；

在被构图的石墨烯层的表面上形成金属层；以及

在金属层上施加拉力以将石墨烯层与第一衬底分开。

8.一种用于制造石墨烯晶片的方法，包括：

在第一衬底的表面上形成石墨烯层；

对石墨烯层进行构图；

在被构图的石墨烯层的表面上形成金属层；

在金属层上施加拉力以将石墨烯层与第一衬底分开；

借助分子间力将与第一衬底分开的石墨烯层结合到分离的第二衬底的表面上或者结合到形成在第二衬底的表面上的结合层的表面上；以及

除去金属层。

9.根据权利要求8的方法，进一步包括：

在第一衬底上形成金属层后，在金属层上形成支撑体结合层(122)，然后在支撑体结合层(122)上形成支撑体(124)；以及

在支撑体(124)上施加拉力以将石墨烯层与第一衬底分开。

10.根据权利要求8的方法，其中第一衬底是SiC衬底或S i衬底。

11.根据权利要求8的方法，其中金属层包含选自包括Ti、Ni、Al、Cu、Cr、In和Pd的组的一种或多种元素。

12.根据权利要求8的方法，其中结合层是由选自包括氧化物层、氮化物层和氮氧化物层的组的一个或多个层形成的层，其中所述氧化物层、氮化物层和氮氧化物层包含Si。

13.一种包括被结合到第一衬底的单层结构石墨烯或多层结构石墨烯的石墨烯晶片，所述单层结构石墨烯和所述多层结构石墨烯从不同于第一衬底的第二衬底被释放。

14.根据权利要求13的石墨烯晶片，其中所述单层结构石墨烯或所述多层结构石墨烯被构图成不同于石墨烯晶片的衬底的形状。

15.一种用于制造石墨烯器件的方法，包括：

在第一衬底的表面上形成石墨烯层；

在石墨烯层的表面上形成金属层；

在金属层上施加拉力以便从第一衬底释放石墨烯层；

将被释放的石墨烯层结合到第二衬底的表面上或者结合到形成在第二衬底上的结合层的表面上；

除去金属层；

对石墨烯层进行构图；以及

在被构图的石墨烯层的表面上形成电极。

16.根据权利要求15的方法，进一步包括：

在第一衬底上形成金属层后，在金属层上形成支撑体结合层(122)，然后在支撑体结合层(122)上形成支撑体(124)；

在支撑体(124)上施加拉力以将石墨烯层与第一衬底分开。

17.根据权利要求15的方法，其中第一衬底是SiC衬底或Si衬底。