[发明专利]发光二极管磊晶结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010217575.0 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102315347A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管磊晶结构，包括一硅基板及一半导体结构层，其特征在于：该硅基板上形成有一图案化的介质层及阻隔层，半导体结构层与基板之间形成有多个分离的孔隙。
2.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：该半导体结构层包含缓冲层及半导体发光结构层。
3.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：该介质层开设有多个凹槽，阻隔层位于这些凹槽内，所述分离的孔隙位于阻隔层上方。
4.如权利要求3所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：介质层连续分布于基板表面。
5.如权利要求3所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：介质层不连续分布于基板表面。
6.如权利要求3所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：半导体发光层被孔隙贯通而形成多个独立的岛状结构。
7.如权利要求3所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：至少一凹槽的宽度大于半导体结构层厚度的两倍。
8.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：介质层包括一种氧化铝或氮化铝材料。
9.如权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于：阻隔层包括一种氧化硅或氮化硅材料。
10.一种制造发光二极管磊晶结构的方法，包括：
提供一硅基板；
在该硅基板上形成一铝薄膜层；
在铝薄膜层上形成一图案化的光阻层；
蚀刻铝薄膜层而形成与光阻层图案相同的图案；
去除光阻层；
将硅基板置于含氧或含氮的环境下，使其表面的铝薄膜层及硅被氧化或氮化，其中铝薄膜层被氧化为氧化铝或被氮化为氮化铝，硅被氧化为氧化硅或被氮化为氮化硅；
在氧化铝或氮化铝上形成一缓冲层，
在缓冲层上生长一半导体发光结构层，该半导体发光层与氧化硅或氮化硅隔开而形成多个孔隙。
11.如权利要求10所述的制造发光二极管磊晶结构的方法，其特征在于：半导体发光结构层在孔隙上方连接为一整体。
12.如权利要求10所述的制造发光二极管磊晶结构的方法，其特征在于：半导体发光结构层被孔隙贯通而形成多个独立的岛状结构。
13.如权利要求10所述的制造发光二极管磊晶结构的方法，其特征在于：氧化铝或氮化铝上开设有多个凹槽，氧化硅或氮化硅位于这些凹槽内，孔隙位于氧化硅或氮化硅上方。
14.如权利要求13所述的制造发光二极管磊晶结构的方法，其特征在于：氧化铝或氮化铝连续分布于硅基板表面。
15.如权利要求13所述的制造发光二极管磊晶结构的方法，其特征在于：氧化铝或氮化铝不连续分布于硅基板表面。
16.如权利要求15所述的制造发光二极管磊晶结构的方法，其特征在于：至少一凹槽的宽度大于半导体发光结构层厚度的两倍。
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