[发明专利]一种控制三极管正向放大系数的电路

权利要求书

1.一种控制三极管正向放大系数的电路，其特征在于包括初级线圈、三极管、主功率开关管、用于比例所述的主功率开关管的电流且类型与所述的主功率开关管相同的第一MOS管、第二MOS管、运算放大器、电流感应电阻及用于镜像所述的第一MOS管的电流的电流镜，所述的初级线圈的第一端接入输入电压，所述的初级线圈的第二端与所述的三极管的集电极相连接，所述的三极管的发射极分别与所述的运算放大器的第一输入端和所述的主功率开关管的漏极相连接，所述的主功率开关管的栅极和所述的第一MOS管的栅极均接入驱动信号，所述的主功率开关管的衬底和源极及所述的第一MOS管的衬底和源极均通过所述的电流感应电阻接地，所述的第一MOS管的漏极分别与所述的运算放大器的第二输入端及所述的第二MOS管的衬底和源极相连接，所述的第二MOS管的栅极与所述的运算放大器的输出端相连接，所述的第二MOS管的漏极与所述的电流镜相连接，所述的电流镜的输入端接入偏置电压，所述的电流镜的输出端与所述的三极管的基极相连接。

2.根据权利要求1所述的一种控制三极管正向放大系数的电路，其特征在于所述的三极管为NPN型三极管，所述的主功率开关管为N沟道MOS管，所述的第一MOS管为N沟道MOS管或N沟道MOSFET管，所述的第二MOS管为N沟道MOS管。

3.根据权利要求1或2所述的一种控制三极管正向放大系数的电路，其特征在于所述的运算放大器和所述的第二MOS管构成一个电压跟随器。

4.根据权利要求3所述的一种控制三极管正向放大系数的电路，其特征在于所述的电流镜主要由第一P沟道MOS管、第二P沟道MOS管、第三P沟道MOS管和第四P沟道MOS管组成，所述的第一P沟道MOS管的衬底和漏极均与所述的第二MOS管的漏极相连接，所述的第一P沟道MOS管的栅极与所述的第二P沟道MOS管的栅极均接入偏置电压，所述的第一P沟道MOS管的源极分别与所述的第三P沟道MOS管的衬底和漏极相连接，所述的第三P沟道MOS管的漏极分别与所述的第三P沟道MOS管的栅极和所述的第四P沟道MOS管的栅极相连接，所述的第三P沟道MOS管的源极和所述的第四P沟道MOS管的源极均接入工作电压，所述的第四P沟道MOS管的衬底和漏极均与所述的第二P沟道MOS管的源极相连接，所述的第二P沟道MOS管的衬底和漏极均与所述的三极管的基极相连接。