[发明专利]接触孔结构形成方法

权利要求书

1.一种接触孔结构形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有金属层；

在所述半导体基底上形成覆盖所述金属层的介质层，所述介质层至少包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层位于所述第二介质层和所述半导体基底之间，所述第一介质层的熔点高于所述第二介质层；

刻蚀所述介质层，直至形成暴露金属层的接触孔；

对具有接触孔的所述介质层加热，使所述第二介质层变软并向接触孔内流动，从而所述接触孔的侧壁在所述第二介质层的位置具有凸起；

用导电介质填充接触孔。

2.根据权利要求1所述的接触孔结构形成方法，其特征在于，所述填充接触孔的方法为化学气相沉积工艺。

3.根据权利要求2所述的接触孔结构形成方法，其特征在于，所述导电介质的材料选自铝、银、铬、钼、镍、钯、铂、钛、钽或者铜，或者选自铝、银、铬、钼、镍、钯、铂、钛、钽或者铜的合金。

4.根据权利要求1所述的接触孔结构形成方法，其特征在于，所述介质层还包括第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层依次层叠排列。

5.根据权利要求4所述的接触孔结构形成方法，其特征在于，所述第三介质层的熔点高于所述第二介质层。

6.根据权利要求5所述的接触孔结构形成方法，其特征在于，所述第三介质层和第一介质层为同种材料。

7.根据权利要求1或6所述的接触孔结构形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为二氧化硅；所述第二介质层的材料为掺杂硼磷的硅玻璃、掺杂硼的硅玻璃、掺杂磷的硅玻璃或其任意组合。

8.根据权利要求1所述的接触孔结构形成方法，其特征在于，所述介质层的形成方法为化学气相沉积工艺。