[发明专利]一种片上系统有效
申请号: | 201010217873.X | 申请日: | 2010-06-23 |
公开(公告)号: | CN102298434A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 许丹 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 系统 | ||
1.一种片上系统,包括逻辑模块、存储模块和第一基准电压源,所述逻辑模块用于对所述存储模块进行操作,所述第一基准电压源用于为逻辑模块提供基准电压,其特征在于,还包括第二基准电压源,第二基准电压源用于为存储模块提供基准电压。
2.根据权利要求1所述的片上系统,其特征在于,所述第一基准电压源、第二基准电压源为带隙基准参考源。
3.根据权利要求1或2所述的片上系统,其特征在于,还包括射频模块和第三基准电压源,所述射频模块用于收发射频信号并与所述逻辑模块连接,所述第三基准电压源用于为射频模块提供基准电压。
4.根据权利要求3所述的片上系统,其特征在于,所述第三基准电压源为带隙基准参考源。
5.根据权利要求4所述的片上系统,其特征在于,所述第二基准电压源的精确度高于第三基准电压源的精确度。
6.根据权利要求4所述的片上系统,其特征在于,所述第二基准电压源的精确度高于第三基准电压源的精确度和第一基准电压源的精确度。
7.根据权利要求1所述的片上系统,其特征在于,所述存储模块至少为两个,所述第二基准电压源至少为两个,所述存储模块和所述第二基准电压源一一对应连接。
8.根据权利要求1所述的片上系统,其特征在于,所述第二基准电压源的精确度高于第一基准电压源的精确度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010217873.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。