[发明专利]一种显影方法

权利要求书

1.一种显影方法，包括：

将待显影处理的晶圆固定在晶圆支撑座上；

在所述待显影处理的晶圆上实施预湿工艺；

向所述待显影处理的晶圆喷涂显影液，使光刻胶层中被曝光的区域与所述显影液发生化学反应而溶解；

对喷涂完所述显影液显影反应完成的晶圆进行清洗、甩干。

2.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述预湿工艺包括：

a)旋转所述待显影处理的晶圆并在其上喷涂预湿液；

b)进一步旋转所述待显影处理的晶圆并将其保持在较高转速下一定时段，以使所述预湿液在所述待显影处理的晶圆表面形成预湿液膜；

c)将所述待显影处理的晶圆减速到0。

3.根据权利要求2所述的显影方法，其特征在于，所述步骤a)包括：

在第一时段将静止的所述待显影处理的晶圆加速到第一转速并在第二时段一直保持所述第一转速，同时以第一喷涂速率在所述待显影处理的晶圆表面喷涂所述预湿液；

在第三时段内将转速为所述第一转速的所述待显影处理的晶圆加速到高于所述第一转速的第二转速，并在第四时段内保持所述待显影处理的晶圆处于所述第二转速，同时以所述第一喷涂速率在所述待显影处理的晶圆表面喷涂所述预湿液。

4.根据权利要求2所述的显影方法，其特征在于，所述步骤b)包括：

在第五时段将转速为所述第二转速的所述待显影处理的晶圆加速到高于所述第二转速的第三转速，并在第六时段内保持所述待显影处理的晶圆处于所述第三转速。

5.根据权利要求2所述的显影方法，其特征在于，所述步骤c)包括：

在第七时段将转速为所述第三转速的所述待显影处理的晶圆减速到0。

6.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述第一时段为0.2～1秒。

7.根据权利要求6所述的显影方法，其特征在于，所述第一时段为0.5秒。

8.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述第一转速为100～900转/分。

9.根据权利要求8所述的显影方法，其特征在于，所述第一转速为300转/分。

10.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述第二时段为至少0.5秒。

11.根据权利要求10所述的显影方法，其特征在于，所述第二时段为1秒。

12.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述第一喷涂速率为1～100毫升/秒。

13.根据权利要求12所述的显影方法，其特征在于，所述第一喷涂速率为16.7毫升/秒。

14.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述预湿液为去离子水。

15.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述第三时段为0.2～1秒。

16.根据权利要求15所述的显影方法，其特征在于，所述第三时段为0.5秒。

17.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述第二转速为500～1500转/分。

18.根据权利要求17所述的显影方法，其特征在于，所述第二转速为1000转/分。

19.根据权利要求3所述的显影方法，其特征在于，所述第四时段为至少1秒。

20.根据权利要求19所述的显影方法，其特征在于，所述第四时段为2秒。

21.根据权利要求4所述的显影方法，其特征在于，所述第五时段为0.5～2秒。

22.根据权利要求21所述的显影方法，其特征在于，所述第五时段为1秒。

23.根据权利要求4所述的显影方法，其特征在于，所述第三转速为1000～3000转/分。

24.根据权利要求23所述的显影方法，其特征在于，所述第三转速为2000转/分。

25.根据权利要求4所述的显影方法，其特征在于，所述第六时段为2～10秒。

26.根据权利要求25所述的显影方法，其特征在于，所述第六时段为4秒。