[发明专利]低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201010218263.1 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN102312211A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 周雄;杨孟璇;陈柏君 申请(专利权)人: 周雄
主分类号: C23C14/50 分类号: C23C14/50;C23C14/34;C23C14/08
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 低温 形成 晶态 透明 氧化物 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法,其特征在于其包括以下步骤:

提供一溅镀设备,该溅镀设备具有一腔室及一装设于该腔室内的低温载台,该低温载台内部具有一内层空间及一外层空间,该外层空间是供抽真空用;

设置一样品基板于该溅镀设备的该低温载台上;

填充一冷却剂于该低温载台的该内层空间,以使该样品基板的温度低于273K;

填充一溅镀气体于该溅镀设备的该腔室内,该溅镀气体的凝结温度低于该冷却剂的凝结温度;以及

进行一溅镀步骤,以在该样品基板上形成一非晶态透明氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法,其特征在于其中所述的冷却剂为液态氮。

3.根据权利要求1所述的低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法,其特征在于其中所述的溅镀气体为氖气。

4.根据权利要求1所述的低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法,其特征在于其中所述的非晶态透明氧化物薄膜为氧化锌掺铝薄膜。

5.根据权利要求1所述的低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法,其特征在于其中所述的溅镀设备为磁控式低温溅镀设备。

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