[发明专利]制造半导体器件的方法及设备

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

使用化学镀方法在半导体衬底上形成多个金属膜的层叠结构，

其中所述形成金属膜包括：

使用第一镀槽进行包括还原反应的化学镀工艺；和

使用第二镀槽进行仅通过置换反应的化学镀工艺，

所述使用所述第一镀槽进行的包括所述还原反应的化学镀工艺是在遮光环境中进行的，以及

所述使用所述第二镀槽仅通过所述置换反应进行的化学镀工艺是在非遮光环境中进行的。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在所述第一镀槽中使用的镀液包括还原剂。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述形成金属膜进一步包括使用第三镀槽进行仅通过置换反应的化学镀工艺，并且

所述使用所述第三镀槽仅通过所述置换反应进行的化学镀工艺是在所述非遮光环境中进行的。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，在所述使用所述第一镀槽进行包括所述还原反应的化学镀工艺中，形成Ni膜或包括Ni的金属膜，

在所述使用所述第二镀槽进行仅通过所述置换反应的化学镀工艺中，形成Pd膜或包括Pd的金属膜，

在所述使用所述第三镀槽进行仅通过所述置换反应的化学镀工艺中，形成Au膜，以及

按此顺序形成所述Ni膜或所述包括Ni的金属膜、所述Pd膜或所述包括Pd的金属膜、和所述Au膜。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在所述第一镀槽中使用的镀液包括还原剂，

在所述第二镀槽中使用的镀液包括还原剂，以及

在所述第三镀槽中使用的镀液不包括还原剂。

6.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述形成金属膜进一步包括使用第四镀槽进行包括还原反应的化学镀工艺，以及

所述使用所述第四镀槽进行的包括所述还原反应的化学镀工艺是在遮光环境中进行的。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在所述金属膜上进行使用所述第四镀槽进行的包括所述还原反应的所述化学镀工艺，所述金属膜是通过使用所述第三镀槽仅通过所述置换反应进行的所述化学镀工艺形成的，以及

在所述使用所述第四镀槽进行包括所述还原反应的所述化学镀工艺中，金属膜由与通过使用所述第三镀槽仅通过置换反应进行的所述化学镀工艺形成的所述金属膜的材料相同的材料制成。

8.根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在所述第四镀槽中使用的镀液包括还原剂。

9.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，在所述使用所述第一镀槽进行包括所述还原反应的化学镀工艺中，形成Ni膜或包括Ni的金属膜，

在所述使用所述第二镀槽进行仅通过所述置换反应的化学镀工艺中，形成Pd膜或包括Pd的金属膜，

在所述使用所述第三镀槽进行仅通过所述置换反应的化学镀工艺中，形成第一Au膜，

在所述使用所述第四镀槽进行包括所述还原反应的化学镀工艺中，形成第二Au膜，以及

按此顺序形成所述Ni膜或所述包括Ni的金属膜、所述Pd膜或所述包括Pd的金属膜、所述第一Au膜和所述第二Au膜。

10.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述金属膜形成在形成于所述半导体衬底上的电极上，以及

所述电极是由Cu、包括Cu的金属材料、Al、包括Al的金属材料、W、包括W的金属材料、Ag和包括Ag的金属材料中的至少一种制成的金属层或金属膜的层叠结构。

11.一种半导体器件制造设备，其使用化学镀方法在半导体衬底上形成多个金属膜的层叠结构，该设备包括：

第一镀槽，所述第一镀槽在遮光环境中进行包括还原反应的化学镀工艺；和

第二镀槽，所述第二镀槽在非遮光环境中进行仅通过置换反应的化学镀工艺。

12.根据权利要求11所述的半导体器件制造设备，进一步包括：

支架，所述支架保持所述半导体衬底并在遮光状态下将所述半导体衬底浸入所述第一镀槽中。