[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

厚膜层；

形成于所述厚膜层上的第一外延层，其中，所述第一外延层的顶表面进行了表面处理；以及

形成于所述第一外延层上并且具有包括用于电子和光电器件的基于氮化物的半导体的多层的第二外延层，

其中，按照包括至少一种表示为In_xAl_yGa_zN(x、y、z为整数)或Si_xC_yN_z(x、y、z为整数)的化合物的单层或多层的形式制备所述第一和第二外延层中的每者。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述厚膜层包括从下述集合中选出的至少一种化合物、合金或固溶体：Si、Ge、SiGe、GaAs、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、BN、BP、BAs、BSb、AlP、AlAs、Alsb、GaSb、InP、InAs、InSb、GaP、InP、InAs、InSb、In₂S₃、PbS、CdTe、CdSe、Cd_1xZn_xTe、In₂Se₃、CuInSe₂、Hg_1-xCd_xTe、Cu₂S、ZnSe、ZnTe、ZnO、W、Mo、Ni、Nb、Ta、Pt、Cu、Al、Ag、Au、ZrB₂、WB、MoB、MoC、WC、ZrC、Pd、Ru、Rh、Ir、Cr、Ti、Co、V、Re、Fe、Mn、RuO、IrO₂、BeO、MgO、SiO₂、SiN、TiN、ZrN、HfN、VN、NbN、TaN、MoN、ReN、CuI、金刚石、DLC(类金刚石碳)、SiC、WC、TiW、TiC、CuW和SiCN，其中，所述厚膜层包括制备为单层或多层的单晶层、多晶层或者非晶层。