[发明专利]一种合成石墨烯薄膜材料的方法

权利要求书

1.一种制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，该方法的步骤如下：

(1)通过化学气相沉积的方法，采用氢气加甲烷的混合气氛，在铜基底上生长石墨烯薄膜。

(2)将生长了石墨烯薄膜的铜基底平放在表面被氧化了硅基底上，放入硝酸铁溶液中，将铜基底溶掉，此时石墨烯薄膜将沉在硅基底上。

(3)将溶液稀释，再将沉有石墨烯的硅基底从溶液中取出用真空干燥箱烘干。

(4)将沉有石墨烯的硅基底超声清洗后，放入通氩气保护的退货炉中退火，然后随炉冷却至室温后将样品取出即可制得高质量的石墨烯薄膜样品。

2.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜材料的方法，其特征在于：所述步骤(1)具体为，铜基底事先用醋酸在35℃恒温下浸泡10min。化学气相沉积反应过程为，先将反应管式炉用真空泵抽至低于10Pa，然后通入氢气，流量为30sccm，带管内气压稳定至230Pa左右时，由室温开始升温，升温速率约为10℃/min，升至120℃后保温10min，继续采用相同的升温速率升至1000℃，开始通甲烷，流量为100sccm，保持气压约10000Pa。恒温30min，停止加热，使炉体自然降温，待降至700℃时将加热炉箱体打开，快速降至室温。

3.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜材料的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述的硝酸铁溶液浓度为不高于0.05g/ml。

4.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜材料的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述的烘干温度不低于150℃。

5.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜材料的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述的超声频率不高于40Hz，退火温度约为300～400℃，退火时间不少于24h。