[发明专利]SiC反射镜坯原位制备法及装置无效

专利信息
申请号: 201010218753.1 申请日: 2010-07-07
公开(公告)号: CN102313916A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 张洪齐 申请(专利权)人: 罗万前
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610067 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: sic 反射 原位 制备 装置
【权利要求书】:

1.SiC反射镜坯原位制备法及装置,其特征在于:

本装置由:

数控加工机具(1),多功能自发热上下模具[(5)+(6)+(8)+(12)],隔热层(4),真空泵与真空罩(3)等组成;

其制备方法为:

(1)在镜坯制备处,由本装置内的数控加工机具制造其型面与反射面或背面吻合、外形尺寸大于镜坯直径的C/C材料矩形板状物,用此板状物做烧结SiC素坯用的发热体和匀温体,兼做承托烧结SiC素坯时的钵体,还同时兼做SiC素坯的成型模具的上下模壳(5)(12);

(2)制备多孔的炭C材或C/C材料,做蜂窝结构空腔的可除滤水分的空心模芯(8)和侧模(6);

(3)将上述模壳与模芯组成浇注镜体素坯的模具[(5)+(6)+(8)+(12)];

(4)在模具型腔中注入反应烧结SiC的浆料;

(5)对模具施加振动,对模芯腔抽真空,待模腔中的浆料高度浓缩后,形成镜体的素坯;

(6)在模具的四周添加隔热材料(4),再加设真空罩(3);

(7)在真空条件和模壳、模芯和侧模的共同约束下,让自发热体(5)(12)通电发热升温,对素坯进行烧结;

(8)烧结完成后,移走上模壳(5);

(9)对芯模(8)加温,让其氧化成二氧化碳后自动跑掉;

(10)在镜坯上加复硅粉,盖上上模壳(5),加添隔热料(4)和真空罩(3)后再升温,在高温和真空条件下的对烧结坯体进掺硅处理;

(11)对镜坯的反射面用化学气相沉积法(CDV-SiC)进行致密化处理。

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