[发明专利]磁体组件及其温控方法有效
申请号: | 201010218773.9 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102314988A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 武安波;潘军;赵燕;黄先锐 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01F7/00 | 分类号: | H01F7/00;H01F27/36;H01F6/00;H01F6/06;H01F41/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁体 组件 及其 温控 方法 | ||
1.一种包括有被动温度控制的磁体组件,包括:
磁体,其用于产生磁场;
铁轭,其用于屏蔽至少一部分所述磁体;及
正温度系数加热装置,其设置于所述铁轭上用来稳定该铁轭的温度。
2.如权利要求1所述的磁体组件,其中所述被动温度控制不包括主动控制器或温度传感器。
3.如权利要求1所述的磁体组件,其中所述正温度系数加热装置具有预先确定的保护温度。
4.如权利要求1所述的磁体组件,其中所述磁体包括超导磁体,该超导磁体包括一个或多个超导线圈。
5.如权利要求1所述的磁体组件,其中所述超导线圈具有螺线管形状,所述铁轭具有圆柱形状且可收容所述磁体。
6.如权利要求1所述的磁体组件,其中所述铁轭包括主体和设置在主体两端的一对端部,所述正温度系数加热装置设置在主体和一对端部中至少一个上。
7.如权利要求1所述的磁体组件,其中所述正温度系数加热装置设置在所述铁轭的至少一个外表面上。
8.如权利要求1所述的磁体组件,其进一步包括相变材料,该相变材料设置在铁轭上或嵌入到铁轭中以和所述正温度系数加热装置相配合。
9.如权利要求8所述的磁体组件,其中所述相变材料包括十水硫酸钠。
10.一种铁轭组件,包括:
铁轭,其用于屏蔽至少一部分磁体来限制该磁体产生的漏磁;及
正温度系数加热装置,其设置于所述铁轭上用来稳定该铁轭的温度;其中
所述铁轭组件提供不包括温度传感器或温度控制器的被动温度控制。
11.如权利要求10所述的铁轭组件,其进一步包括相变元件,该相变元件设置在所述铁轭上以和所述正温度系数加热装置相配合。
12.如权利要求10所述的铁轭组件,其进一步包括电源,该电源和所述正温度系数加热装置间建立电气连接。
13.一种提供磁体组件温度控制的方法,包括:
设置磁体,该磁体用来产生磁场;
设置铁轭,该铁轭用来屏蔽至少一部分所述磁体;
于所述铁轭上设置正温度系数加热装置;及
被动的控制所述铁轭的温度。
14.如权利要求13所述的方法,其进一步包括确定所述正温度系数加热装置的保护温度。
15.如权利要求13所述的方法,其中所述铁轭的被动的温度控制不包括主动控制器或温度传感器。
16.如权利要求13所述的方法,其进一步包括于所述铁轭上设置相变元件。
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