[发明专利]一种太阳能电池片的减反射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池片的减反射膜，其特征在于，所述减反射膜的成分主要为SiNx:H，减反射膜中距离减反射膜所依附的硅片表面为T处的SiNx:H中的X满足如下关系：

X＝a-1.589×10^-2T+3.728×10^-4T²-4.072×10^-6T³+1.535×10^-8T⁴；

其中，a为减反射膜与硅片接触的底面中的氮硅比，1.00≤a≤2.0。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的减反射膜，其特征在于，1.20≤a≤1.60。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的减反射膜，其特征在于，所述减反射膜的厚度为50～100nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的减反射膜，其特征在于，所述减反射膜的折射率从底面到顶面呈连续变化，所述底面的折射率为2.10～3.00；所述顶面的折射率为1.90～2.06。

5.一种太阳能电池片的减反射膜的制备方法，其特征在于，包括以SiH₄和NH₃为反应源，在原料硅片表面沉积SiNx:H减反射膜；

所述SiH₄和NH₃的流量比R呈递减趋势，沉积的减反射膜距离硅片表面为T处的R满足如下关系：

R＝β-5.0×10^-2T+1.08×10^-3T²-9.25×10^-6T³+2.6×10^-8T⁴，

其中，β为起始SiH₄和NH₃的流量比，1.0≤β≤1.5；

制得太阳能电池片的减反射膜，减反射膜中距离减反射膜所依附的硅片表面为T处的SiNx:H中的X满足如下关系：

X＝a-1.589×10^-2T+3.728×10^-4T²-4.072×10^-6T³+1.535×10^-8T⁴，

其中，a为减反射膜与硅片接触的底面中的氮硅比，1.00≤a≤2.0。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述减反射膜的制备包括将原料硅片于流量比呈递减趋势的SiH₄和NH₃的气氛下移动，所述原料硅片移动的速率为130-190cm/min。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述SiH₄和NH₃的总流量为1000～7000sccm。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法包括等离子体增强型化学气相沉积法。

9.根据权利要求5所述的太阳能电池片的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述沉积的温度为350℃～450℃。