[发明专利]一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管

权利要求书

1.一种沟道应力引入方法，其特征在于：在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间，插入形变介质层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，张应变的形变介质层诱使沟道发生张应变，用于提升沟道电子迁移率。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，压应变的形变介质层诱使沟道发生压应变，用于提升沟道空穴迁移率。

4.一种在沟道中引入应力的场效应晶体管器件，所述器件具有一衬底，所述衬底上形成有源区和漏区，在所述衬底上的所述源区和漏区之间具有一沟道区，其特征在于：在所述源/漏区与所述衬底之间，插入形变介质层。

5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述形变介质层为张应力氮化硅、压应力氮化硅或压应力类金刚石碳。

6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，所述形变介质层的厚度范围在1nm～200nm。

7.一种制备场效应晶体管的方法，其包括如下步骤：

1)利用牺牲氧化硅栅做掩模，刻蚀源/漏区凹槽；

2)淀积形变介质层，并以牺牲多晶硅源/漏做保护，选择性腐蚀获得形变介质层；

3)以露出的沟道窗口为籽晶层外延获得源/漏区；

4)轻掺杂LDD注入，并淀积氮化硅层做保护进行源/漏注入；

5)淀积厚氮化硅层，并化学机械抛光至牺牲氧化硅栅；

6)腐蚀去除牺牲氧化硅栅，获得栅介质层，并淀积多晶硅层，化学机械抛光后获得多晶硅栅。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过低速率等离子体增强化学气相淀积PECVD氮化硅，薄膜淀积速率小于获得张应力氮化硅形变介质层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相淀积PECVD氮化硅，在反应气体中加入稀释气体，获得压应力氮化硅形变介质层。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过物理气相淀积PVD、化学气相淀积CVD方法，获得压应力类金刚石碳形变介质层。