[发明专利]一种基于碳纳米管场效应晶体管的倍频器

权利要求书

1.基于小禁带宽度碳纳米管的场效应晶体管在倍频器中的应用，其中该场效应晶体管以小禁带宽度碳纳米管为导电通道，源端和漏端分别位于导电通道的两端，栅极位于源漏之间，栅极与作为导电通道的碳纳米管之间为绝缘层；栅极作为倍频器的输入端，源端接地，漏端作为倍频器的输出端。

2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述场效应晶体管的场效应开关电流比是1-100。

3.一种倍频器，包括一场效应晶体管、一输入端偏置直流源和一输出端偏置直流源，其中：所述场效应晶体管以小禁带宽度碳纳米管为导电通道，源端和漏端分别位于导电通道的两端，栅极位于源漏之间，栅极与作为导电通道的碳纳米管之间为绝缘层；栅极为倍频器的输入端，源端接地，漏端为倍频器的输出端；输入端偏置直流源将输入到输入端的交流信号偏置到所述场效应晶体管的直流转移特性的电阻最大点；而输出端偏置直流源连接输出端，给场效应晶体管提供一个工作电源。

4.如权利要求3所述的倍频器，其特征在于，所述场效应晶体管的场效应开关电流比是1-100。

5.如权利要求3所述的倍频器，其特征在于，所述输入端偏置直流源是一个连接输入信号源的直流电压源。

6.如权利要求3所述的倍频器，其特征在于，所述输出端偏置直流源是一个直流电流源，或者是串联了电阻的直流电压源。