[发明专利]用数字式液体流量计改进低介电常数介质膜的初始层的方法

权利要求书

1.一种沉积有机硅酸盐介质层的方法，包括：

将衬底定位在具有功率供给的电极的处理腔室中；

将一种或多种氧化气体流入处理腔室；

将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀；

将所述有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和第一载气流到所述处理腔室中；

保持第一有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层；

将致孔剂化合物从第二大容量储存容器中以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀；

将致孔剂化合物蒸发并将该致孔剂化合物和第二载气流到处理腔室中；

在所述RF功率存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一致孔剂流速至第二有机硅流速和第二致孔剂流速；以及

保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，保持所述第一有机硅流速1秒。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一致孔剂流速是200mg/min～600mg/min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机硅化合物选自下述化合物组成的组：四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、五甲基环五硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、二乙氧基甲基硅烷、二甲基二硅氧烷、1，3，5，7-四硅代-2，6-二氧代环辛烷、四甲基二硅氧烷、六甲基二硅氧烷、1，3-双(硅烷基亚甲基)-二硅氧烷、双(1-甲基二硅氧基)甲烷、双(1-甲基二硅氧基)丙烷、六甲氧基二硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷和二甲氧基甲基乙烯基硅烷。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述致孔剂化合物选自下述化合物组成的组：丁二烯、异戊二烯、环己二烯、双环庚二烯、1-甲基-4-(1-甲基乙基)-1，3-环己二烯、降冰片二烯、1-甲基-4-(1-甲基乙基)-苯、3-蒈烯、茴香酮、柠檬烯、环戊烯氧化物、乙烯基-1，4-二恶英醚、乙烯基呋喃基醚、乙烯基-1，4-二恶英、乙烯基呋喃、糠酸甲酯、甲酸呋喃酯、乙酸呋喃酯、糠醛、二呋喃基酮、二呋喃醚、二糠基醚、呋喃和1，4-二恶英。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一种或多种氧化气体选自下述化合物组成的组：氧气、臭氧、一氧化二氮、一氧化碳和二氧化碳。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机硅化合物包括二乙氧基甲基硅烷以及所述致孔剂化合物包括1-甲基-4-(1-甲基乙基)-1，3-环己二烯。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一和第二载气分别选自下述气体组成的组：氦气、氩气和二氧化碳。

9.一种沉积有机硅酸盐介质层的方法，包括：

将衬底定位在具有功率供给的电极的处理腔室中；

将一种或多种氧化气体流入处理腔室；

将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀；

将所述有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和第一载气流到处理腔室中；

保持第一有机硅流速一秒钟以在RF功率存在下沉积初始层；

将致孔剂化合物从第二大容量储存容器中以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀；

将致孔剂化合物蒸发并将该致孔剂化合物和第二载气流到处理腔室中；

在所述RF功率存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一致孔剂流速至第二有机硅流速和第二致孔剂流速；以及

保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一致孔剂流速是200mg/min～600mg/min。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一致孔剂流速以增加速率为400mg/min./sec～800mg/min./sec增加。