[发明专利]用于消毒冷冻切片机的方法和装置无效

专利信息
申请号: 201010220278.1 申请日: 2010-06-24
公开(公告)号: CN101936821A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: D·特普克 申请(专利权)人: 迈克罗姆国际股份有限公司
主分类号: G01N1/06 分类号: G01N1/06;A61L2/22;A61L101/22
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 严志军;谭祐祥
地址: 德国沃*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 消毒 冷冻 切片机 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种消毒冷冻切片机(microtome cryostat)的方法,具有:

a)将消毒剂引入冷冻室;

b)消毒剂在该冷冻室起作用;

c)通过在更冷区域沉淀和从该更冷区域排出而移除消毒剂。

本发明通过这种方法,还涉及一种消毒冷冻切片机的装置,其具有切片机、致冷机、用于供应和引入消毒剂至冷冻室的设施以及控制器。

背景技术

由于切片机经常被用来切开被细菌感染的组织样本,所以为了保护操作人员,消毒就成为必需。对于这些消毒,提出了以下建议:

US 2002/0139124 A1中的一个用于解决该问题的建议是使用臭氧来进行消毒。然而,该建议具有这样的缺点,即臭氧是非常有腐蚀性的并通过氧化而损伤表面。另一个缺点是,臭氧残留难以移除,它是有毒的,是高度易燃的,或在消毒阶段可从装置部分地泄漏,由此成为对操作人员的危害。

在英吉利科学公司的“AS 600 Cryotome”手册提出了使用紫外辐射来进行净化的另一方案。但是,该方案具有缺点,即该紫外辐射不穿透到阴影区域。此外,该紫外线在切片废物或样本残余物中,或者在金属表面的微观小抑制中没有穿透深度。这种净化方法因而是不令人满意的。

引言中所描述的类型的方法和装置由DE 103 03 989 B4提出,其中,蒸汽状消毒剂被传送至预先已加热的冷冻室。在消毒时间之后,通过在冷冻室和致冷机之间产生温度差来移除消毒剂,这使得优选连续地被加热的该切片机干燥,并且,使整个消毒剂沉淀在已经重启的致冷机上。通过再加热致冷机,融化并从此处移除消毒剂。致冷机随后重启,使得冷冻室恢复其运行温度。这个过程已经大大地快于通过在消毒后保持冷冻机敞开,直到带有切片机的冷冻室干燥,从而简单地进行干燥。尽管如此,它仍然花费至少两个小时以重启切片机,这个时间段包括解冻时间和加热时间、消毒剂的供应时间和消毒时间、移除消毒剂所需的时间以及再次冷却的时间。因此,消毒只可在工作日结束时进行,或者,如果感染的高风险需要更频繁的消毒,这将在冷冻切片机的调配中导致相当大的约束。

发明内容

因此,本发明的目的是提供一种在引言中陈述的类型的方法和装置,使得每天可将冷冻切片机消毒几次,而不必长时间地中断运行。

引言中描述的该方法步骤的以下实施例创造性地解决了该任务。

a)在0℃以下,将0℃以下有效的消毒剂以雾状引入至冷冻室;

b)消毒剂在冷冻室中作为毛霜状的沉积物而有效;

c)毛霜状的沉积物通过升华而被转移至更冷区域,然后通过该区域的不定期的解冻阶段而冷凝,因而被排出。

通过以上描述的类型的装置可解决该目标,其特征在于,用于供应和引入消毒剂的装置是雾化装置,构造成由于其细度和在0℃以下的温度将雾化的消毒剂引入至冷冻室的方式而容易在冷冻室中获得消毒剂的毛霜状的沉积物,通过这个方法,并且,其特征在于,控制器构成为在这层变得太厚以致于它可能损害致冷机的运行之前,通过升华而使得沉淀并收集在致冷机上的消毒剂融化,并且,排出设施引导融化的消毒剂离开冷冻室。

本发明还基于这样的知识,即,几个已知的消毒剂在它们通过以雾化形式被引入至0℃以下的冷冻室而形成毛霜状的沉积物时,还具有消毒属性。本发明利用了该事实以实现消毒。

本发明还利用这样的事实,即,如果存在着一个更冷区域,那么,甚至在低于0℃的温度,可通过升华而再次移除毛霜状的沉积物。更冷区域中的消毒剂的沉淀确保了未达到冷冻室中的饱和升华压强,因而毛霜状的沉积的消毒剂的升华持续,直到整个消毒剂沉淀在更冷区域。这个更冷区域有利地是冷冻切片机的冷却器,因为当它在运行时,这始终为冷冻室的最冷区域。

最后,应认识到,毛霜状的沉积的层的消毒效果比在0℃以上作为液滴而沉淀的消毒剂的冷凝物更有效得多。因而发现,该消毒剂的需求可能减少至大约十分之一。所应用的消毒剂的量的减少还意味着沉淀在例如冷却器的更冷区域的消毒剂不必在每次消毒之后被移除和再次排出,这是因为,由于在一次消毒操作之后所应用的非常小的消毒剂的量而在此形成的消毒剂层只相当于根据现有技术的上述工艺中所需的量的大约十分之一。这使得能够在更冷区域,即冷却器不定期地进行融化,因为沉淀层在它损害该致冷机的运行能力之前,必须被移除,在几个消毒操作之后仅在该处形成。

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