[发明专利]磁通门漏电传感器无效

专利信息
申请号: 201010220642.4 申请日: 2010-07-01
公开(公告)号: CN101949987A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 小林正和;余孔惠 申请(专利权)人: 株式会社田村制作所
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 磁通门 漏电 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁通门漏电传感器,具有用于插入作为测定对象的第一电线和第二电线的环状的芯以及缠绕在所述芯上的线圈,所述磁通门漏电传感器的特征在于,包括:

驱动电路,将正负对称的矩形波电压施加到所述线圈上,以便一边使所述线圈的磁通密度的方向反向,一边使所述线圈的磁通密度饱和;

比较器电路,将与流经所述线圈的线圈电流对应地进行变化的测定电压与正负对称的正侧基准电压和负侧基准电压相比较,并输出正侧电信号和负侧电信号,其中,正侧电信号相当于所述测定电压高于所述正侧基准电压的期间,负侧电信号对应于所述测定电压低于所述负侧基准电压的期间;以及

判断电路,比较从所述比较器电路输出的所述正侧电信号和所述负侧电信号。

2.根据权利要求1所述的磁通门漏电传感器,其特征在于,所述比较器电路包括:

正侧比较器,具有被施加所述测定电压的非倒相输入端子和用于输入所述正侧基准电压的倒相输入端子;

负侧比较器,具有被施加所述测定电压的倒相输入端子和用于输入所述负侧基准电压的非倒相输入端子;

正侧电场效应晶体管,具有用于输入所述正侧比较器的输出电压的栅极电极;以及

负侧电场效应晶体管,具有用于输入所述负侧比较器的输出电压的栅极电极,

所述判断电路包括积分电路,该积分电路对所述正侧电场效应晶体管和所述负侧电场效应晶体管的漏极电流相加,并输出与相加后的所述漏极电流的积分量对应的电压。

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