[发明专利]压力传感器及压力传感器的制造方法

权利要求书

1.一种压力传感器，具备：形成有内部电阻部的半导体基板、形成在所述半导体基板上的绝缘膜、和形成在所述绝缘膜上的外部导电部，其特征在于，

在所述绝缘膜中，形成有将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点，

所述外部导电部形成在与所述半导体基板上形成的所述内部电阻部的范围相当的范围内。

2.一种压力传感器，具备：形成有多个内部电阻部的半导体基板、形成在所述半导体基板上的绝缘膜、和形成在所述绝缘膜上的多个外部导电部，其特征在于，

在所述绝缘膜中，形成有多个将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点，

多个所述外部导电部全部形成在与所述半导体基板上形成的多个所述内部电阻部的范围相当的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，

所述半导体基板是n型半导体基板，

所述内部电阻部由p型半导体构成，

以大于等于所述外部导电部的电位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分施加电压，且施加电压后，所述半导体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分的电位差要小于压力传感器的击穿电压。

4.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，

所述半导体基板是p型半导体基板，

所述内部电阻部由n型半导体构成，

以小于等于所述外部导电部的电位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分施加电压，且施加电压后，所述半导体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分的电位差要小于压力传感器的击穿电压。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的压力传感器，其特征在于，

设置于所述绝缘膜的所述接点的个数，与所述外部导电部的个数相同，或者少于所述外部导电部的个数。

6.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，具有：

在半导体基板上形成内部电阻部的内部电阻部形成处理；

在所述半导体基板上形成绝缘膜的绝缘膜形成处理；

在所述绝缘膜上形成外部导电部的外部导电部形成处理；和

在所述绝缘膜中，形成将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接接点的接点形成处理；

在所述外部导电部形成处理中，所述外部导电部形成范围是：与所述半导体基板上形成的所述内部电阻部范围相当的范围内。

7.根据权利要求6所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，

在所述接点形成处理中，在所述绝缘膜中形成与所述外部导电部的个数相同，或者少于所述外部导电部的个数的所述接点。