[发明专利]用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源

权利要求书

1.一种用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源，包括半导体激光器的驱动电路和高精度温控电路，其特征在于：

所述的半导体激光器的驱动电路包括外接的输出+15V的第三电源(V3)、第一电源(V1)、输出为负的直流偏置电源(V2)，采用高速MOSFET(Q)作开关，该高速MOSFET的驱动芯片称为驱动集成块(U)，所述的驱动集成块(U)的第2脚与“外触发输入”相连；该驱动集成块(U)的第1脚、第8脚为空，第3脚接地，第4脚和第7脚短接，第6脚接所述的第三电源(V3)的正极，第5脚与所述的高速MOSFET(Q)的栅极电阻(R1)的一端相连，该栅极电阻(R1)的另一端与MOSFET(Q)的栅极(G)相连，该MOSFET(Q1)的源极(S)接地；所述的第一电源(V1)的正极与充电电阻(R2)的一端相连；该充电电阻(R2)的另一端、所述的MOSFET(Q)的漏极(D)和储能电容(C)的一端形成节点；该储能电容(C)的另一端与放电电阻(R3)的一端相连；所述的直流偏置电源(V2)与偏置电阻(R5)一端相连，所述的放电电阻(R3)的另一端、偏置电阻(R5)的另一端和快响应二极管(D1)的正端(D1+)构成节点；该节点接所述的激光二极管(LD)的负极(LD-)；所述的快响应二极管(D1)的负端接地，采样电阻(R4)的一端接地，该采样电阻(R4)的另一端分别与所述的“激光二极管(LD)的正极(LD+)和激光二极管电流监测端的示波器相连。

2.根据权利要求1所述的高速窄脉冲调制驱动电源，其特征在于：所述的第一电源(V1)的电压的取值范围为0～500V。

3.根据权利要求1所述的高速窄脉冲调制驱动电源，其特征在于：所述的储能电容(C)的范围为51pF～1000pF。

4.根据权利要求1所述的高速窄脉冲调制驱动电源，其特征在于：所述的放电电阻(R3)的取值范围为1Ω～5Ω。