[发明专利]耦合窗的温度测量装置、等离子体设备及温度测量方法有效
申请号: | 201010221045.3 | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN102313599A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 武小娟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00;G01J5/02;H01L21/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耦合 温度 测量 装置 等离子体 设备 测量方法 | ||
1.一种耦合窗的温度测量装置,应用于包括耦合窗和反应室的等离子体设备中,其特征在于,所述装置包括位于所述耦合窗下表面的测温终端和用于通过对所述测温终端进行测量以确定所述耦合窗下表面温度的红外线测温仪器,所述测温终端具有与所述耦合窗不同的发射率,其中,所述耦合窗下表面为所述耦合窗的朝向所述反应室内部的表面。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述测温终端的材料为玻璃。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述测温终端的外表面覆盖有抗等离子体轰击的材料。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述抗等离子体轰击的材料为陶瓷。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的装置,其特征在于,所述测温终端与所述耦合窗下表面的接触面为直径大于2.5mm的圆。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的装置,其特征在于,所述测温终端为边长是5mm的立方体。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的装置,其特征在于,所述红外线测温仪器发出的红外线的波长范围为3um~5um。
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的装置,其特征在于,所述红外线测温仪器的探头安装在所述耦合窗的上表面,且所述探头的位置与所述测温终端相对,所述上表面与所述耦合窗的下表面相对。
9.一种等离子体设备,包括耦合窗和反应室,其特征在于,所述耦合窗的下表面上具有用于红外线测温仪器测量以确定所述耦合窗下表面温度的测温终端,所述测温终端具有与所述耦合窗不同的发射率,其中,所述耦合窗下表面为所述耦合窗的朝向所述反应室内部的表面。
10.根据权利要求9所述的设备,其特征在于,所述测温终端的材料为玻璃。
11.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述测温终端的外表面覆盖有抗等离子体轰击的材料。
12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,所述抗等离子体轰击的材料为陶瓷。
13.根据权利要求9至12中任意一项所述的装置,其特征在于,所述测温终端与所述耦合窗下表面的接触面为直径大于2.5mm的圆。
14.根据权利要求9至12中任意一项所述的装置,其特征在于,所述测温终端为边长是5mm的立方体。
15.根据权利要求9至12中任意一项所述的装置,其特征在于,所述耦合窗的上表面上还设置有红外线测温仪器的探头,且所述探头的位置与所述测温终端相对,所述上表面与所述耦合窗的下表面相对。
16.一种耦合窗的温度测量方法,应用于包括耦合窗和反应室的等离子体设备中,其特征在于,包括:
红外线测温仪器对位于所述耦合窗下表面的测温终端进行测量;
确定所述耦合窗下表面的温度;
其中,所述测温终端与所述耦合窗的发射率不同,所述耦合窗下表面为所述耦合窗的朝向所述反应室内部的表面。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述红外线测温仪器发出的红外线的波长范围为3um~5um。
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