[发明专利]表面处理装置及其方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种表面处理装置，尤其是涉及一种利用等离子体对沉积层进行平坦化的一种表面处理装置及其方法。

背景技术

现有薄膜制作工艺中，在传输腔和工艺腔体中放置一等离子体产生装置。当基板传送至工艺腔体前，在传输中即时进行表面清洁、干式蚀刻、表面活化或改质等制作工艺。

例如以低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)制作工艺中沉积的氧化锌(ZnO)薄膜时，由于氧化锌薄膜的表面形貌常成金字塔状，而形成尖锐的薄膜表面，因此会影响界面覆盖性与致密度，而不利后续元件制作工艺的制作，例如：硅薄膜太阳电池高转换效率的制作。

在现有技术中，例如：美国专利US.Pat.No.6,855,908揭露对于尚未进行制作工艺的基材进行处理的技术，其利用等离子体蚀刻的方式均匀基材表面，而使基材表面可以达到0.04-1.3nm/cm²的平坦度。在引证案中揭露出根据等离子体产生的功率以及电及大小对基材进行平坦化处理，以得到好的平坦度。另外，美国专利US.Pat.No.5,254,830则教导控制材料移除装置的技术，通过建立存储信息，利用等离子体化学蚀刻的机制去除基材超过变异量的位置上的材料以均匀硅基材或其上的氧化物层的厚度。另外，又如美国专利US.Pat.No.6,541,380则揭露一种等离子体蚀刻技术，其对于沉积于基材上的金属层或者是金属氧化物进行等离子体蚀刻，以去除对应掩模上的金属层或金属氧化物层。

此外，又如US.Pat.No.5,002,796或7,390,731也教导一种沉积技术，其在工艺腔体内设置等离子体产生装置以提高镀膜效率与降低镀膜温度。而在US.Pat.No.5,545,443则教导一种利用LPCVD沉积ZnO时，同时使用紫外线(UV)照射反应物，增加反应速率，并改善薄膜的电性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种表面处理装置及其方法，其在与工艺腔体相耦接的一传输腔体内设置有一等离子体产生装置，以对由该工艺腔体移动至传输腔体内的基板上的沉积层进行表面平坦化处理，以改善沉积层的表面特性，进而减少缺陷结构的发生。该等离子体产生装置可在真空腔体及大气环境之下使用。

本发明的另一目的在于提供一种表面处理装置及其方法，其利用长线型的等离子体产生装置，对由工艺腔体进入传输腔体内的一基板上的沉积层进行大面积的表面平坦化处理，以增加表面处理的效率。

为达上述目的，在一实施例中，本发明提供一种表面处理装置，其包括有：一工艺腔体，其提供一沉积制作工艺使一基板上形成一沉积层，该工艺腔体具有一第一开口；一传输腔体，其耦接于该工艺腔体的一侧，该传输腔体内具有一空间与该工艺腔体相连通，且其一侧具有一第二开口与该第一开口相对应，该传输腔体上开设有一开槽与该空间相连通，该传输腔体具有一传输装置以将该基板由该传输腔体输送至该工艺腔体或者是由该工艺腔体输送至该传输腔体；一等离子体产生装置，其设置于该开槽上；以及一控制单元，其与该等离子体产生装置电连接，该控制单元使该等离子体产生装置产生等离子体以对由该工艺腔体进入该传输腔体的一基板上的一沉积层进行表面平坦化处理。

在另一实施例中，本发明更提供一种表面处理方法，其包括有下列步骤：提供一表面处理装置，其包括有一工艺腔体、一传输腔体以及一等离子体产生装置，该传输腔体，其耦接于该工艺腔体的一侧，该传输腔体内具有一空间，该传输腔体上开设有一开槽与该空间相连通，该等离子体产生装置，其设置于该开槽上；经由该传输腔体提供一基板进入该工艺腔体内以对该基板进行一沉积制作工艺，使该基板上形成有一沉积层；在沉积制作工艺完毕之后，将该基板由该工艺腔体移动至该传输腔体；以及使该等离子体产生装置产生等离子体以对由该工艺腔体进入该传输腔体的该基板上的该沉积层进行表面平坦化处理。

附图说明

图1A为本发明的表面处理装置实施例立体示意图；

图1B为具有沉积层的基板示意图；

图1C为本发明的表面处理装置另一实施例示意图；

图2A与图2B为本发明的等离子体产生装置第一实施例剖面与立体分解示意图；

图2C为本发明的通孔布设示意图；

图3A与图3B为本发明的等离子体产生装置第二实施例剖面以及立体分解示意图；

图4A与图4B为本发明的表面处理装置对基板进行平坦化处理示意图；

图5为本发明的表面处理方法实施例流程示意图；