[发明专利]CIGS太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种CIGS太阳能电池，其特征在于，包含：

一玻璃基板，该玻璃基板的至少一表面包含多个阵列式凹凸部，该些阵列式凹凸部的最顶端延伸至最底端的距离为一预定深度；

一光吸收表面，包含该些阵列式凹凸部最顶端形成表面、该些阵列式凹凸部由最顶端延伸至最底端所形成表面与该些阵列式凹凸部最底端基板除阵列式凹凸部所形成表面的集合；以及

一光电转换结构，该光电转换结构由下列各层所组成：

一n型半导体层，位于该光吸收表面上方，且n型半导体层为一CIGS类化合物；

一p型半导体层，位于该n型半导体层上方，且该p型半导体层为一氧化物；以及

一i型半导体层，位于该n型半导体层与该p型半导体层间，且该i型半导体层为一氧化物。

2.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一下电极，位于该玻璃基板与该光电转换结构之间，且该下电极为一金属。

3.根据权利要求2所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该金属选自钛、钼、钽或由上述任意合金所组成的组合。

4.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一下电极，位该玻璃基板与该光电转换结构之间，且该下电极为一非金属氧化物；以及

一钠化合物层，位于该下电极与该光电转换结构之间。

5.根据权利要求4所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一上电极，位于该下电极上方。

6.根据权利要求5所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一中间层，位于该光电转换结构与该下电极之间。

7.根据权利要求6所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该中间层材质为锡、碲或铅。

8.根据权利要求5所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一导线，位于该上电极的上方。

9.根据权利要求8所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一抗反射层，位于该导线的上方。

10.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该预定深度为1厘米以上。

11.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该CIGS类化合物包含一第一前驱化合物与一第二前驱化合物。

12.根据权利要求11所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该第一前驱化合物包含铜、镓与硒。

13.根据权利要求11所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该第二前驱化合物包含铟与硒。

14.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该CIGS类化合物的化学式为Sn:Cu(In_1-xGa_x)Se₂，其中x值为0.18-0.3。

15.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该p型半导体层包含铜与铝的氧化物。

16.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该些阵列式凹凸部具有相同的一预定间距。

17.根据权利要求16所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该预定间距为0.625厘米。

18.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该些阵列式凹凸部的外形为几何图形柱体。

19.根据权利要求18所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该些阵列式凹凸部的外形为圆形柱体。