[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成绝缘层；

对所述绝缘层进行脱水化或脱氢化；

在所述绝缘层上形成氧化物半导体层；

对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；

在所述氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层；

在所述绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层及所述漏电极层上与所述氧化物半导体层的一部分接触地形成氧化物绝缘膜；以及

对所述氧化物绝缘膜进行加热。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：

在形成所述绝缘层之前，在所述衬底上形成栅电极层，

其中，所述绝缘层是栅极绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述绝缘层的所述脱水化或脱氢化在氮气氛、稀有气体气氛或减压下进行。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体层的所述脱水化或脱氢化在氮气氛、稀有气体气氛或减压下进行。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体层的所述脱水化或脱氢化以400℃以上的温度进行。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在对所述氧化物半导体层进行所述脱水化或脱氢化之后对所述氧化物半导体层进行冷却。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在对所述氧化物半导体层进行所述脱水化或脱氢化之后对所述氧化物半导体层以室温以上且低于100℃的温度进行缓冷。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过进行所述氧化物半导体层的所述脱水化或脱氢化，使所述氧化物半导体层的载流子浓度提高，并且通过形成所述氧化物绝缘膜，使所述氧化物半导体层的载流子浓度降低。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中以150℃以上且低于350℃的温度对所述氧化物绝缘膜进行加热。

10.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成绝缘层；

对所述绝缘层进行加热；

在所述绝缘层上形成氧化物半导体层；

对所述氧化物半导体层进行加热；

在所述氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层；

在所述绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层及所述漏电极层上与所述氧化物半导体层的一部分接触地形成氧化物绝缘膜；以及

对所述氧化物绝缘膜进行加热。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：

在形成所述绝缘层之前，在所述衬底上形成栅电极层，

其中，所述绝缘层是栅极绝缘层。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛、稀有气体气氛或减压下对所述绝缘层进行加热。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛、稀有气体气氛或减压下对所述氧化物半导体层进行加热。

14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中以400℃以上的温度对所述氧化物半导体层进行加热。

15.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在对所述氧化物半导体层进行加热之后对所述氧化物半导体层进行冷却。

16.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在对所述氧化物半导体层进行加热之后在室温以上且低于100℃的温度下对所述氧化物半导体层进行缓冷。

17.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中通过对所述氧化物半导体层进行加热，使所述氧化物半导体层的载流子浓度提高，并且通过形成所述氧化物绝缘膜，使所述氧化物半导体层的载流子浓度降低。

18.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中以150℃以上且低于350℃的温度对所述氧化物绝缘膜进行加热。