[发明专利]具备密封层的半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片(11)，具有电极(12)；

接线柱(40)；

密封层(70)，密封上述半导体芯片(11)及上述接线柱(40)；

第一布线(33)，设在上述密封层(70)的一个面上，与上述电极(12)及上述接线柱(40)电连接；以及

第二布线(83)，设在上述密封层(70)的另一个面上，与上述接线柱(40)电连接；

该半导体器件具有将上述第一布线(33、36)与上述接线柱(40)电连接的通孔导体(35a)以及将上述第二布线(83)与上述接线柱(40)电连接的通孔导体(85a)中的至少某一个，

上述接线柱(40)与上述通孔导体相互接触的界面上的上述接线柱(40)的面积，比上述界面上的上述通孔导体的面积大。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，具备：

第一绝缘膜(30)，设在上述密封层(70)与上述第一布线(33)之间；以及

第二绝缘膜(80)，设在上述密封层(70)与上述第二布线(83)之间。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，

上述第一布线(33)埋入在上述第一绝缘膜(30)的固定了上述半导体芯片(11)的面中。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，

在上述第一布线(33)中，在配置上述半导体芯片(11)的电极(12)的位置设有贯通孔。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件，其中，

在上述第一布线中，在配置上述接线柱的位置设有贯通孔。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

上述第二布线埋入在上述第二绝缘膜的固定上述半导体芯片的面中。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，

在上述第二布线中，在配置上述接线柱的位置设有贯通孔。

8.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

通过密封层(70)将具有电极(12)的半导体芯片(11)和接线柱(40)密封；

在上述密封层(70)的一个面，形成与上述电极(12)电连接的第一布线(33)；

在上述密封层(70)的另一个面形成第二布线(83)，通过上述接线柱(40)将上述第一布线(33)和上述第二布线(83)电连接。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

上述半导体芯片(11)和上述接线柱(40)形成在第一绝缘膜(30)上。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，

在第一基材(101)上形成上述第一绝缘膜(30)以及导体层(41)；

在第二基材(102)上形成第二绝缘膜(80)；

对上述导体层(41)进行构图而形成接线柱(40)；

在上述第一绝缘膜(30)的形成了上述接线柱(40)的面上接合半导体芯片(11)；

在上述接线柱(40)的上部配置热固化性树脂片(70a)，并且在上述热固化性树脂片(70a)及上述半导体芯片(11)的上部配置上述第二绝缘膜(80)及上述第二基材(102)而一体成形；

去除上述第一基材(101)以及上述第二基材(102)；

从上述第一绝缘膜(30)侧对上述接线柱(40)及上述半导体芯片(11)的电极(12)形成通孔(21、31、32、72)，并且从上述第二绝缘膜(80)侧形成通孔(71、81、82)；

在上述第一绝缘膜(30)及上述第二绝缘膜(80)上对第一布线及第二布线进行构图。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，

在第一基材(101)上形成上述第一绝缘膜(30)及导体层(41)的工序包括：在上述导体层上对埋入上述第一绝缘膜的布线进行构图之后，与上述第一绝缘膜一体成形。

12.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，

包括：在上述第二基材(102)上形成上述第二绝缘膜(80)之后将导体层层叠并一体成形的工序，并包括：上述热固化性树脂片(70a)配置在上述接线柱(40)的上部并且配置在上述第一绝缘膜的上部且上述半导体芯片之间。