[发明专利]一种用于制造半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体衬底特别是绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：

a)提供具有第一杂质类型的第一杂质浓度的第一半导体衬底，

b)使第一半导体衬底经受第一热处理，从而降低与第一半导体衬底的一个主表面相邻的改性层中的第一杂质浓度，

c)将具有降低的第一杂质浓度的改性层至少部分地转移到第二衬底上，从而获得改性的第二衬底，以及

d)特别是通过外延生长，在改性的第二衬底的转移层上提供一层，该层具有不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第二杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行步骤d)，使得转移层具有第二杂质类型的第三杂质浓度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，该方法进一步包括在步骤c)之后而在步骤d)之前的附加步骤e)，该附加步骤e)用于使改性的第二衬底经受第二热处理。

4.根据权利要求1到3中的任一项所述的方法，其中，步骤c)包括：

f)在第一半导体衬底内生成预定分离区域，优选地使得该预定分离区域在具有降低的杂质浓度的改性层内，

g)优选地通过键合将第一半导体衬底接合到第二半导体衬底，而将具有降低的第一杂质浓度的层夹在它们之间，以及

h)使键合结构经受第三热和/或机械处理，使得在该预定分离区域发生分离。

5.根据权利要求1到4中的任一项所述的方法，该方法进一步包括在具有降低的杂质浓度的改性层(3)上提供介电层(5)的步骤。

6.根据权利要求1到5中的任一项所述的方法，其中，在步骤c)期间获得的第一半导体衬底的剩余部分在至少包括步骤c)和d)的后续半导体衬底制造工艺中作为新的第一半导体衬底被重用。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，按步骤c)和d)能够执行至少两次而不重复步骤b)的方式，来执行步骤b)。

8.根据权利要求1到7中的任一项所述的方法，其中，在步骤c)期间获得的第一半导体衬底的剩余部分在至少包括步骤c)和d)的后续半导体衬底制造工艺中作为新的半导体衬底被重用。

9.根据权利要求1到8中的任一项所述的方法，其中，第一热处理和第二热处理在特别是氦或氩气氛的中性气氛中进行。

10.根据权利要求1到9中的任一项所述的方法，其中，第一杂质类型是p型杂质，第二杂质类型是n型杂质。

11.根据权利要求1到10中的任一项所述的方法，其中，第一半导体衬底是硅、锗、砷化镓或碳化硅衬底中的一种。

12.根据权利要求1到11中的任一项所述的方法，其中，第二衬底是硅、锗、砷化镓、石英、碳化硅中的一种，特别是在它的一个主表面上包括介电层。

13.根据权利要求1到12中的任一项所述的方法，其中，第一杂质浓度在0.5×10¹⁶到5×10¹⁶原子/cm³的范围内，第二杂质浓度与第三杂质浓度具有相同的量级，特别是在0.5×10¹⁴到5×10¹⁴原子/cm³的范围内。

14.根据权利要求1到13中的任一项所述的方法，其中，在具有第三杂质浓度的层上设置至少一个具有第四杂质浓度的附加层。