[发明专利]用于磁场匀场的装置和方法无效

专利信息
申请号: 201010223949.X 申请日: 2010-03-23
公开(公告)号: CN101916640A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 罗伯特·斯莱德 申请(专利权)人: 英国西门子公司
主分类号: H01F6/00 分类号: H01F6/00;G01R33/38;G01R33/385
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王冉
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 用于 磁场 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种圆柱形超导磁体装置包括:

具有孔(5)的中空圆柱形超导磁场发生器(1);

还包括

匀场装置(6,12,14,16),用于改变在均匀场区(10)内的磁场的均匀性,

所述匀场装置本身包括:

在所述孔内轴向延伸的匀场通道(6),该匀场通道在所述磁场发生器和所述均匀场区之间的体积中,

至少一个包含磁性材料的匀场件(12),该匀场件位于各匀场通道(6)内;

保持装置(16;46),该保持装置用于在轴向位置保持各匀场件;

装置(14;46),该装置用于当所述磁场发生器在产生磁场时,在相应的匀场通道内轴向移动各匀场件,从而在相应的匀场通道内重新定位匀场件,因此在均匀场区(10)范围内改变磁场的均匀性;其中

所述保持装置(16;46)用于将各垫匀场件保持在其调整了的轴向位置。

2.根据权利要求1的圆柱形超导磁体装置,其中用于在相应的匀场通道内轴向移动各匀场件的所述装置(14;46)是可操作的以便在相应匀场通道内调整各匀场件的轴向位置而没有从匀场通道增加和移出任何匀场件。

3.根据权利要求1或2的圆柱形超导磁体装置,还包括位于所述孔内的中空圆柱形梯度线圈组件(4),并包括位于所述孔内的用于在均匀场区(10)中产生磁场梯度的线圈(7)。

4.根据权利要求3的圆柱形超导磁体装置,其中匀场通道(6)位于所述梯度线圈组件的径向外表面和所述中空超导磁场发生器的孔壁之间。

5.根据权利要求3的圆柱形超导磁体装置,其中匀场通道(6)位于所述梯度线圈组件的径向内表面和所述均匀场区之间。

6.根据权利要求3的圆柱形超导磁体装置,其中匀场通道(6)位于所述梯度线圈组件的径向内表面和所述梯度线圈组件的所述孔内的体(RF)线圈之间。

7.根据权利要求3的圆柱形超导磁体装置,其中匀场通道(6)在梯度线圈组件(4)内形成且穿过该梯度线圈组件轴向延伸。

8.根据权利要求7的圆柱形超导磁体装置,其中所述梯度线圈组件包括梯度线圈(7)和位于该梯度线圈的径向外侧的梯度屏蔽线圈(7A);所述梯度线圈和所述梯度屏蔽线圈被嵌入陶制材料(8),所述匀场通道在所述陶制材料内形成,径向介于所述梯度线圈和所述梯度屏蔽线圈之间。

9.根据权利要求7的圆柱形超导磁体装置,其中所述梯度线圈组件包括梯度线圈和位于该梯度线圈径向外侧的梯度屏蔽线圈;所述梯度线圈和所述梯度屏蔽线圈被嵌入在陶制材料(8)内,所述匀场通道在所述陶制材料内形成,径向位于所述梯度线圈和所述梯度屏蔽线圈的外侧。

10.根据权利要求7的圆柱形超导磁体装置,其中所述梯度线圈组件包括梯度线圈和位于该梯度线圈的径向外侧的梯度屏蔽线圈,所述梯度线圈和所述梯度屏蔽线圈被嵌在陶制材料(8)内,所述匀场通道在所述陶制材料中形成,径向位于所述梯度线圈和所述梯度屏蔽线圈内。

11.根据前面的任一权利要求的圆柱形超导磁体装置,其中用于沿着相应的匀场通道移动各匀场件的所述装置包括多个附着在各自匀场件上的杆(14),以便能通过驱动相应的杆进出所述匀场通道调整匀场件在所述匀场通道内的位置。

12.根据权利要求11的圆柱形超导磁体装置,其中用于保持各匀场件在合适的位置的所述保持装置(16;46)包括用于将各杆保持在所述匀场通道端部附近的夹具装置(16)。

13.根据权利要求1到10中任一项的圆柱形超导磁体装置,其中用于沿着相应的匀场通道移动各匀场件的所述装置(46)包括多个螺纹杆(46),各个螺纹杆与在各自匀场件内的螺纹通孔协作,以便匀场件在匀场通道内的位置能通过相对于各自的匀场件转动螺纹杆进行调整。

14.根据权利要求13的圆柱形超导磁体,其中用于保持各匀场件在合适的位置的所述保持装置(16;46)包括在各螺纹杆(46)和在各自匀场件内的螺纹通孔之间的相互作用。

15.根据前面任一权利要求的圆柱形超导磁体,还包括用于导引受控温度下的流体的流动穿过所述匀场通道中的至少一个的装置。

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