[发明专利]用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201010224453.4 | 申请日: | 2010-07-07 |
公开(公告)号: | CN101944535A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | 卢泳勋;姜镐哲 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 液晶 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于显示装置的阵列基板,包括:
具有像素区域和开关区域的基板;
在所述基板的开关区域上的源极和漏极,所述源极的端部和所述漏极的端部具有锥形边缘;
在所述基板的像素区域中的像素电极,该像素电极连接到该漏极;
在所述源极和漏极上的有机半导体层,该有机半导体层完全接触各所述源极和漏极的锥形边缘和顶面;
在该有机半导体层上的第一绝缘层;和
在该第一绝缘层上的栅极。
2.根据权利要求1所述的用于显示装置的阵列基板,其中所述源极和漏极的锥形边缘相对于该基板的表面具有10至70度之间的角度。
3.根据权利要求1所述的用于显示装置的阵列基板,其中该有机半导体层利用喷墨设备、喷嘴涂敷设备、棒涂敷设备、狭缝涂敷设备和旋转涂敷设备的其中之一形成为液相。
4.根据权利要求1所述的用于显示装置的阵列基板,其中在平面图中,所述有机半导体层、第一绝缘层和栅极具有基本相同的形状和面积。
5.根据权利要求4所述的用于显示装置的阵列基板,还包括布置在该栅极和数据线上的第二绝缘层,该第二绝缘层具有暴露该栅极的栅极接触孔和暴露该像素电极的开口,该栅极线布置在该第二绝缘层上并通过该栅极接触孔连接到该栅极。
6.根据权利要求4所述的用于显示装置的阵列基板,还包括缓冲层,该缓冲层布置在该基板上。
7.根据权利要求1所述的用于显示装置的阵列基板,其中源-漏电流随源-漏电压基本对数性地增加。
8.一种制造用于显示装置的阵列基板的方法,包括如下步骤:
形成具有像素区域和开关区域的基板;
在所述基板的开关区域上形成源极和漏极,所述源极的端部和所述漏极的端部具有锥形边缘;
在所述基板的像素区域中形成像素电极,该像素电极连接到该漏极;
在所述源极和漏极上形成有机半导体层,该有机半导体层完全接触各所述源极和漏极的锥形边缘和顶面;
在该有机半导体层上形成第一绝缘层;和
在该第一绝缘层上形成栅极。
9.根据权利要求8所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,其中所述源极和漏极的锥形表面相对于该基板的表面具有10至70度之间的角度。
10.根据权利要求8所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,其中利用喷墨设备、喷嘴涂敷设备、棒涂敷设备、狭缝涂敷设备和旋转涂敷设备的其中之一以液相形成该有机半导体层。
11.根据权利要求8所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,其中在平面图中,所述有机半导体层、第一绝缘层和栅极具有基本相同的形状和面积。
12.根据权利要求8所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,还包括如下步骤:
形成布置在该栅极和数据线上的第二绝缘层,和
在该第二绝缘层中形成暴露该栅极的栅极接触孔和暴露该像素电极的开口,
其中该栅极线布置在该第二绝缘层上并通过该栅极接触孔连接到该栅极。
13.根据权利要求8所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,还包括形成缓冲层的步骤,该缓冲层布置在该基板上。
14.根据权利要求8所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,其中源-漏电流随源-漏电压基本对数性地增加。
15.根据权利要求8所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,其中所述形成数据线、源极和漏极的步骤还包括如下步骤:
在该基板上形成金属层;
在该金属层上形成对应于数据线、源极和漏极的光致抗蚀剂图案;
将该光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模,通过具有大约33至50℃温度的蚀刻剂来蚀刻该金属层以形成所述数据线、源极和漏极;和
去除该光致抗蚀剂图案。
16.根据权利要求15所述的制造用于显示装置的阵列基板的方法,其中所述蚀刻该金属层的步骤包括将该光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模,通过溅射蚀刻或化学蚀刻各向同性地干蚀刻该金属层以所述形成所述数据线、源极和漏极。
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