[发明专利]高数据保持能力的电阻型存储器的制备方法

权利要求书

1.一种电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）形成下电极；

（2）在所述下电极上构图形成存储介质层；

（3）在含有氧等离子的气氛中对所述存储介质层的表面进行富氧等离子体处理；

（4）用惰性离子轰击所述存储介质层以使其无定形化；

（5）形成上电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，等离子体处理为射频等离子体处理。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中氧等离子体处理的功率范围为200瓦至400瓦，氧气流量范围为30-50标况毫升每分。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述存储介质层包括其上表面的富氧存储介质层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，惰性离子为氩离子，氩离子轰击的工艺条件为：功率为30瓦至100瓦，惰性气体流量范围为10-30标况毫升每分。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极材料为Cu、W、Ni、Zr、Ta、TaN、Ti、TiN、Zn或Al。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述存储介质层为Cu_xO存储介质层，所述下电极为铜互连后端结构中的铜引线或者铜栓塞，所述电阻型存储器集成于铜互连后端结构中，其中，1＜x≤2。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述存储介质层材料为铜的氧化物、铝的氧化物、钛的氧化物、钨的氧化物、锆的氧化物、镍的氧化物或者锌的氧化物。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述上电极为Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金之一种，或者为Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金中任意两者组成的复合层材料之一种。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述存储介质层通过对所述下电极自对准氧化形成，或者通过在所述下电极上薄膜沉积形成。