[发明专利]一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法无效
| 申请号： | 201010224556.0 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101898801A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 邵海波;樊玉欠;孔德帅;皮欧阳;万辉;王建明;张鉴清;曹楚南 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 表面 生长 氢氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法，其特征在于，该方法以金属钴为基体，在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中；然后将10-100mg/L的氧化剂分散到该溶液中，使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应，1-59分钟后，经洗涤剂洗涤、干燥，即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片。
2.根据权利要求1所述在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法，其特征在于，所述金属钴可由电沉积或冶炼获得。
3.根据权利要求1所述在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法，其特征在于，所述pH值呈碱性的溶液是将碳酸钾、氢氧化钾、氯化钠、十二烷基硫酸钠、四丁基溴化铵中的任一种或二种以上的组合溶于去离子水中而配制成。溶液的pH值保持在9-15。
4.根据权利要求1所述在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法，其特征在于，所述氧化剂是过氧化氢、空气、纯氧中的任一种或二种以上的组合。
5.根据权利要求1所述在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法，其特征在于，所述洗涤剂是无水甲醇、无水乙醇、丙酮中的任一种或二种以上的组合。
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