[发明专利]半导体结构及半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板，包括一第一焊垫；

一保护层，位于该基板与至少该第一焊垫的一部之上；

一第一凸块底金属层，设置于该第一焊垫之上并延伸通过该保护层至该第一焊垫，该第一凸块底金属层具有一中心部与自该中心部延伸于该保护层的一顶面上的多个延伸部；以及

一导电凸块，位于该第一凸块底金属层之上，使得所述多个延伸部的至少一部凸出于该导电凸块的一边缘。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板还包括一第二焊垫及还包括设置于该第二焊垫之上且延伸穿过该保护层至该第二焊垫的一第二凸块底金属层，该第二凸块底金属层具有一中心部与自该中心部延伸至该保护层的该顶面之上的多个延伸部。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一焊垫与该第二焊垫为相邻的焊垫，且其中相对于该第二凸块底金属层的所述多个延伸部，该第一凸块底金属层的所述多个延伸部经过旋转或对准于该第二凸块底金属层的所述多个延伸部。

4.一种半导体结构，包括：

一基板，具有多个焊垫；

一保护层，位于该基板上，该保护层具有分别位于所述多个焊垫上的一开口；以及

多个凸块底金属结构，所述多个凸块底金属结构分别位于对应的所述开口之一之上，所述多个凸块底金属结构的一具有一中心部与自该中心部突出的多个延伸部，所述多个延伸部位于该保护层之上。

5.如权利要求4所述的半导体结构，还包括一导电凸块，位于该凸块底金属层的该中心部上，使得所述多个延伸部的至少一部凸出于该导电凸块的一边缘。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其中相邻的所述多个凸块底金属层的所述多个延伸部相对地经过旋转或大体相互对准。

7.一种半导体装置的形成方法，包括：

提供具有一第一焊垫的一第一基板；

形成一保护层于该第一基板与该第一焊垫之上；

形成一第一开口于该保护层内，露出该第一焊垫的至少一部；以及

形成一第一凸块底金属层于该第一开口内，该第一凸块底金属层具有一中心部以及自该中心部向外延伸的多个延伸部，至少所述多个延伸部的一部位于该保护层的一顶面上。

8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，还包括：

形成一第二开口于该保护层内，露出位于该基板上的一第二焊垫的至少一部；以及

形成一第二凸块底金属层于设置于该第二焊垫上的该第二开口内并延伸通过该保护层至该第二焊垫，该第二凸块底金属层具有一中心部以及自该中心部延伸至该保护层的该顶面上的多个延伸部。

9.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中该第一凸块底金属层与该第二凸块底金属层为相邻，且其中该第一凸块底金属层的所述多个延伸部对准于该第二凸块底金属层的所述多个延伸部或相对于该第二凸块底金属层的所述多个延伸部为大体经过旋转。

10.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中该第一凸块底金属层的所述多个延伸部与该第二凸块底金属层具有约为介于该第一凸块底金属层与该第二凸块底金属层之间一间距0.11-0.15倍的一长度。

11.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其中所述多个延伸物具有该中心部的一直径0.19-0.58倍的一宽度。