[发明专利]载板、用载板进行沉积处理方法及等离子体沉积处理设备无效
| 申请号： | 201010225101.0 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101949008A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 贾士亮 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载板 用载板 进行 沉积 处理 方法 等离子体 设备 | ||
1.一种用于进行基片沉积处理的载板，其特征在于，包括：
一个或多个假片，可拆卸地布置在所述载板上没有布置基片的空白区域中。
2.根据权利要求1所述的载板，其特征在于，所述假片选自包括硅片、石墨以及C-C复合材料的组。
3.根据权利要求2所述的载板，其特征在于，当所述假片由所述硅片制成时，所述假片通过陶瓷柱或凹槽固定方式可拆卸地布置在所述载板上，所述凹槽设置在所述载板的所述空白区域。
4.根据权利要求3所述的载板，其特征在于，所述假片的厚度为700μm至1000μm。
5.根据权利要求2所述的载板，其特征在于，当所述假片由所述石墨或C-C复合材料制成时，所述假片通过凹槽固定方式可拆卸地设置在所述载板上，所述凹槽设置在所述载板的所述空白区域。
6.根据权利要求5所述的载板，其特征在于，所述凹槽的深度为3mm至4mm。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的载板，其特征在于，所述假片经过粗化处理。
8.根据权利要求7所述的载板，其特征在于，所述假片的形状可根据所述空白区域的形状和大小进行调节。
9.一种使用载板对基片进行沉积处理的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤602，将基片布置在所述载板上；
步骤604，将所述一个或多个假片可拆卸地布置在所述载板上没有布置基片的空白区域中；以及
步骤606，在所述基片和所述载板上进行沉积处理。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：在预定的沉积时间后，更换所述一个或多个假片。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括：
清洗更换下来的所述一个或多个假片，供重复使用。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，在所述步骤604中，在所述载板的空白区域设置凹槽，通过凹槽固定方式将所述假片可拆卸地布置在所述载板的空白区域中。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述步骤604中，当所述假片由硅片制成时，通过陶瓷柱固定方式将所述假片可拆卸地布置在所述载板的空白区域中。
14.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，还包括以下处理：
在将所述一个或多个假片布置在所述空白区域中之前，对所述一个或多个假片进行粗化处理。
15.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述预定的沉积时间为所述一个或多个假片的表面保持未进溅状态的时间。
16.一种等离子体沉积处理设备，具有反应腔室，其特征在于，还包括权利要求1至8中任一项所述的载板。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
