[发明专利]离子迁移管有效
申请号: | 201010225133.0 | 申请日: | 2010-07-05 |
公开(公告)号: | CN102315076A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 张阳天;彭华;张秀庭;郑小永 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司 |
主分类号: | H01J49/26 | 分类号: | H01J49/26;G01N27/62 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 迁移 | ||
技术领域
本发明总体上涉及一种基于离子迁移原理用于痕量检测的检测设备,尤其是涉及一种离子迁移管。
背景技术
离子迁移管是基于离子迁移原理的检测设备的核心部件,通常包括离化源舱、离子门、迁移区、抑制栅、法拉第盘。传统迁移管的上述构件分别采用独立的金属极片构成各个组成部分,极片之间用绝缘材料隔开,金属极片连接外部线缆或者在金属极片之间焊接分立的分压电阻,或者将分压电阻放到迁移管的外部。这样的迁移管结构复杂,引线较多,并且由于两个极片相互通过导线或电子元件焊接在一起而不容易拆卸。此外,在传统的离子迁移管中,离子门、抑制栅等结构都采用网状或丝状的薄金属制成,强度较差,由于变形导致的性能变化明显,影响了检测精确度。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种结构简单、制造和拆卸方便的离子迁移管。
根据本发明的离子迁移管包括沿前后方向顺序叠置在一起的具有中心离化源舱孔的离化源舱、离子门、具有中心迁移管腔的迁移区单元、抑制栅、和法拉第盘,其中所述迁移区单元包括第一绝缘体和分别同心地固定在第一绝缘体正面和背面上的第一金属极片。
根据本发明实施例的迁移管,迁移区单元由一体的第一绝缘体和第一金属极片构成,因此制造简单,拆卸和安装方便。
另外,根据本发明实施例的离子迁移管还具有如下附加技术特征:
所述第一绝缘体形成有分别位于第一金属极片径向外侧的第一电子元件容纳孔。
第一绝缘体进一步形成有位于第一金属极片径向外侧的第一走线孔。
所述离化源舱包括第二绝缘体和分别同心地固定在第二绝缘体正面和背面上且彼此连接的第二金属极片。
所述第二绝缘体形成有分别位于第二金属极片径向外侧的第二电子元件容纳孔。
第二绝缘体进一步形成有位于第二金属极片径向外侧的第二走线孔。
离化源舱形成有贯通第二绝缘体和第二金属极片的第二电气过孔。
所述离子门包括第三绝缘体和分别同心地固定在第三绝缘体正面和背面上的第三金属极片。
所述第三绝缘体形成有分别位于第三金属极片径向外侧的第三电子元件容纳孔。
所述第三绝缘体形成有位于第三金属极片径向外侧的第三走线孔。
所述抑制栅包括第四绝缘体和分别同心地固定在第四绝缘体正面和背面上且彼此连接的第四正面金属极片和第四背面金属极片,其中第四背面金属极片为环形。
所述第四绝缘体上形成有分别位于第四正面金属极片和第四背面金属极片径向外侧的第四电子元件容纳孔。
所述第四绝缘体上形成有位于第四正面金属极片和第四背面金属极片径向外侧的第四走线孔。
所述抑制栅形成有贯通第四绝缘体用于连接第四正面金属极片和第四背面金属极片的第四电气过孔。
所述法拉第盘包括第五绝缘体和分别同心地固定在第五绝缘体正面和背面上且彼此连接的第五金属极片。
所述第五绝缘体形成有分别位于第五金属极片径向外侧的第五电子元件容纳孔。
所述法拉第盘进一步包括分别同心地固定在第五绝缘体正面和背面上、分别套在第五金属极片径向外侧且彼此连接的环形金属极片,其中所述第五电子元件容纳孔位于环形金属极片径向外侧。
第五绝缘体进一步形成有位于环形金属极片径向外侧的第五走线孔。
所述第五绝缘体形成有位于环形金属极片内侧与第五金属极片外侧的通风孔。
所述法拉第盘形成有用于连接环形金属极片的第五电气过孔。
根据本发明实施例的离子迁移管进一步包括顺序叠置在法拉第盘后面的法拉第盘后盖环和法拉第盘后盖板,所述法拉第盘后盖板包括第六绝缘体和分别同心地固定在第六绝缘体正面和背面上且彼此相连的第六金属极片,且所述法拉第盘后盖环包括具有第七中心孔的第七绝缘体和分别同心地固定在第七绝缘体正面和背面的第七环形金属极片。
所述第六绝缘体上形成有分别位于第六金属极片径向外侧的第六走线孔,且所述第七绝缘体上形成有分别位于第七环形金属极片径向外侧的第七走线孔。
所述法拉第盘后盖板形成有分别贯通第六绝缘体和第六金属极片的第六电气过孔。
所述法拉第盘后盖板在背面安装有气嘴。
所述离化源舱、离子门、迁移区单元、抑制栅、法拉第盘和法拉第盘后盖板分别形成有安装孔且它们通过穿过安装孔的螺栓叠置在一起。
第一绝缘体为陶瓷,且所述第一金属极片分别通过腐蚀、电镀、沉积或喷涂形成在第一绝缘体上。
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