[发明专利]陶瓷材料和电子器件有效
申请号: | 201010225142.X | 申请日: | 2010-07-06 |
公开(公告)号: | CN101941832A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | 拉杰什·库马尔·马尔汉;杉山尚宏;野口祐二;宫山胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装;国立大学法人东京大学 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷材料 电子器件 | ||
1.一种具有钙钛矿结构、且由下式(1)表示的陶瓷材料:
(1-x)ABO3-xYZO3...(1)
其中“x”是大于0且小于1的实数,“A”、“B”、“Y”和“Z”各自是一种或多种选自除Pb离子和碱金属离子外的多种金属离子M,“A”是二价的,“B”是四价的,“Y”是三价的,或三价金属离子的组合,“Z”是二价的、三价的或五价的,其共同表示至少两种金属离子的组合。
2.权利要求1的陶瓷材料,其中
式(1)中的“ABO3”形成母体结构。
3.权利要求1的陶瓷材料,其中
式(1)中的“A”是Ba2+,或Ba2+与一种或多种选自多种金属离子M的组合。
4.权利要求1的陶瓷材料,其中
式(1)中的“B”是Ti4+,或Ti4+与一种或多种选自多种金属离子M的组合。
5.权利要求1的陶瓷材料,其中
该多种金属离子M包括二价金属离子MII,四价金属离子MIV,和五价金属离子MV,且
式(1)中的“B”是二价金属离子MII与四价金属离子MIV的组合,或二价金属离子MII与五价金属离子MV的组合。
6.权利要求1的陶瓷材料,其中
该多种金属离子M包括三价金属离子MIII,
式(1)中的“Y”是Bi3+,或Bi3+与三价金属离子MIII的组合。
7.权利要求1的陶瓷材料,其中
该多种金属离子M包括二价金属离子MII,四价金属离子MIV,和五价金属离子MV,且
式(1)中的“Z”是二价金属离子MII与四价金属离子MIV的组合,或二价金属离子MII与五价金属离子MV的组合。
8.权利要求5的陶瓷材料,其中
该二价金属离子MII是一种或多种选自Mg2+、Ni2+和Zn2+的金属离子。
9.权利要求5的陶瓷材料,其中
该四价金属离子MIV是一种或多种选自Ti4+和Zr4+的金属离子。
10.权利要求5的陶瓷材料,其中
该五价金属离子MV是一种或多种选自Nb5+和Ta5+的金属离子。
11.权利要求7的陶瓷材料,其中
该二价金属离子MII是一种或多种选自Mg2+、Ni2+和Zn2+的金属离子。
12.权利要求7的陶瓷材料,其中
该四价金属离子MIV是一种或多种选自Ti4+和Zr4+的金属离子。
13.权利要求7的陶瓷材料,其中
该五价金属离子MV是一种或多种选自Nb5+和Ta5+的金属离子。
14.权利要求6的陶瓷材料,其中
该三价金属离子MIII是一种或多种选自La3+、Nd3+和Sm3+的金属离子。
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