[发明专利]用于控制功率晶体管的器件

权利要求书

1.用于JFET型晶体管的栅极控制器件，该晶体管包括栅极、漏极和源极，所述器件的特征在于，它包括：

-电压产生电路(11)，包括连接到该晶体管的栅极(G)的输出端(out2)，所述电路被设计为在该输出端处产生参考栅-源电压(V_REF)，该参考栅-源电压遵循预定的电压上升斜线，

-电压限制电路(12)，被设计为在该JFET晶体管的端子处的栅-源电压(V_GS)已经达到预定的最大值(V_{GS_max})时将该参考栅-源电压(V_REF)限制到所述最大值。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，该限制电路包括一输入端(in1)和一输出端，其中一电容器(C)的端子处的电压施加于该输入端，该输出端被设计为产生该参考栅-源电压(V_REF)。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，该限制电路(12)包括双极型晶体管(Q3)和比较装置，该比较装置比较该JFET晶体管的栅-源电压(V_GS)与该预定的最大值(V_{GS_max})。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，该限制电路(12)包括二极管(D2)，并且其特征在于，该最大值由该双极型晶体管(Q3)的导电阈值电压(V_BE)与该二极管(D2)的导电阈值电压(V_D2)的总和确定。

5.根据权利要求1到4中的一个所述的器件，其特征在于，该电压产生电路(11)包括串联连接的电阻器(R)、电感器(L)和电容器(C)，形成连接在输入电路(10)的输出端和该JFET晶体管的源极之间的RLC电路，该电压产生电路(11)还包括钳位二极管(D_Z)，与该RLC电路的电容器(C)并联连接在该限制电路(12)的输入端(in1)和该JFET晶体管的源极之间。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，该电压产生电路(11)包括串联的两个双极型晶体管(Q1、Q2)，这两个晶体管的两个基极是公共的并且连接到该限制电路(12)的输出端(out1)。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，该第一双极型晶体管(Q1)是PNP型的，第二晶体管(Q2)是NPN型的，这两个晶体管的发射极端子是公共的。

8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，它包括输入电路(10)，被设计为在该输出端处产生用于该JFET晶体管的控制信号。

9.根据权利要求1到8中的一个所述的器件，其特征在于，它包括连接在该晶体管的栅极(G)和该电压产生电路(11)的输出端(out2)之间的栅极电阻器(R_G)。

10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，它包括串联连接在该限制电路(12)的第一输入端(in1)和地之间的二极管(D_B)和电容器(C_B)以及与该电容器(C_B)并联连接的稳定二极管。

11.一种功率转换器，具有倒相级，包括多个JFET型晶体管，其特征在于，每个JFET晶体管由根据前述权利要求中的一个定义的控制器件控制。