[发明专利]具有场效整流元件的功率半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有一场效整流元件的功率半导体结构，其特征在于，包括：

一漏极区；

一本体区，位于该漏极区的上方；

一源极区，位于该本体区内；

一栅极通道，位于该本体区内，并且邻接于一栅极结构；以及

一分流通道，位于该本体区内，并且邻接于一导电结构，该导电结构是耦接该源极区，该分流通道是由该源极区向下延伸至该漏极区；

其中，该分流通道较该栅极通道为短。

2.如权利要求1所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构，其特征在于，该导电结构位于一沟槽内，该沟槽由该源极区向下延伸。

3.如权利要求1所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构，其特征在于，该栅极通道由该源极区向下延伸至该漏极区。

4.如权利要求3所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构，其特征在于，该栅极通道与该分流通道分别位于该本体区的两侧，并且，该本体区在对应于该分流通道处的厚度小于该本体区在对应于该栅极通道处的厚度。

5.如权利要求4所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构，其特征在于，该本体区在对应于该分流通道处的深度小于该本体区在对应于该栅极通道处的深度。

6.如权利要求4所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构，其特征在于，该本体区的上表面具有一凹陷区域，该凹陷区域是对应于该导电结构。

7.一种具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基材，该基材具有一漏极区；

形成一导电结构于该漏极区上方；

形成一本体区环绕该导电结构；

形成一源极区于该本体区上方；以及

形成一源极金属层电性连接该源极区与该导电结构；

其中，邻接于该导电结构的该本体区内形成一分流通道，由该源极区向下延伸至该漏极区。

8.如权利要求7所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成该导电结构的同时，形成至少一栅极结构于该基材内。

9.如权利要求7所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成该本体区之后，更包括形成一凹陷于该本体区内且对应于该导电结构，使对应于该分流通道处的该本体区的厚度小于对应于该栅极通道处的该本体区的厚度。

10.如权利要求7所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，该导电结构具有一水平部分，形成该本体区的步骤是以该导电结构为遮罩植入掺杂物于该基材内，该本体区在对应于该分流通道处的厚度小于该本体区在对应于该栅极通道处的厚度。

11.如权利要求7所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，形成该导电结构的步骤包括：

形成至少一个沟槽于该基材内；

形成一介电层覆盖所述的沟槽的内侧表面；以及

于所述的沟槽中，分别填入该导电结构与该栅极结构。

12.如权利要求11所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，制造至少一个沟槽于该基材的步骤包括：

以第一道微影蚀刻步骤，形成至少一个第一沟槽与至少一个第二沟槽于该基材内；以及

以第二道微影蚀刻步骤，加大该第二沟槽的上部份的宽度；

其中，该第一沟槽是用以容纳该栅极结构，该第二沟槽是用以容纳该导电结构，该分流通道是位于该第二沟槽的下部份的侧边。

13.如权利要求12所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，形成该源极区于该本体区上方的步骤包括：

形成一第一源极区于该第二沟槽的该下部份的侧边；以及

形成一第二源极区于该第一沟槽与该第二沟槽间的该本体区的表面区域。

14.如权利要求13所述的具有一场效整流元件的功率半导体结构的制造方法，其特征在于，更包括斜向植入掺杂物至该第二沟槽的该上部份的侧边。