[发明专利]发光二极管芯片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于包括步骤：

1)采用外延法在生长衬底上生长出发光二极管芯片阵列，其中，每一发光二极管芯片包含衬底层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N型半导体层上的N电极、及P型半导体层上的P电极；

2)对已形成发光二极管芯片阵列的圆片进行研磨及清洗后，在各发光二极管芯片的出光面涂敷荧光粉，并对荧光粉进行烘干处理；

3)对已涂敷荧光粉的圆片裂片以形成单个发光二极管芯片；

4)对单个发光二极管芯片进行封装。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所形成的发光二极管芯片为垂直结构、正装结构及倒装结构中的一种。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：涂敷荧光粉的方法为旋涂法、泼墨法、印刷法及贴片法中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：如果在制备过程中，对已形成发光二极管芯片阵列的圆片需要进行正划片工艺，则步骤2)在所述正划片工艺之前进行。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：如果在制备过程中，对已形成发光二极管芯片阵列的圆片需要进行正划片工艺，则步骤2)在所述正划片工艺之后进行。