[发明专利]一种铁薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010225691.7 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101886243A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 孟健;武晓杰;刘孝娟;吕敏峰;邓孝龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种铁薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
将衬底放入真空度为2×10-5～1×10-4pa的磁控溅射仪的生长室内；
以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，向所述生长室中通入H2和Ar的混合气体，在0.4～1Pa的压强、400～600℃的温度下在所述衬底上溅射铁薄膜，所述H2和Ar的体积比为0.9～2∶10。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射铁薄膜时的压强为0.4～0.8Pa。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述溅射铁薄膜时的压强为0.4～0.6Pa。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述H2和Ar的体积比为1.2～2∶10。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射铁薄膜时，所述磁控溅射仪的功率为60～130W。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射铁薄膜时的温度为450～600℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射铁薄膜时的时间为40～100分钟。
8.根据权利要求1～7任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述Fe2O3陶瓷靶按如下方法制备：
向Fe2O3粉体内滴入质量浓度为2～3％的聚乙烯醇，研磨造粒；
将造粒后得到的粉体放入模具，加压，得到Fe2O3块体；
将所述Fe2O3块体先升温至450～550℃，保温5～15小时，排胶后在850～1000℃下烧结，得到Fe2O3陶瓷靶。
9.根据权利要求1～7任意一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述衬底上溅射铁薄膜前，将衬底温度升至600～750℃，保温15～30分钟。
10.根据权利要求1～7任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述向所述生长室中通入H2和Ar的混合气体的进气量为30～60毫升/分。
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