[发明专利]集成电路晶圆切割方法无效
| 申请号： | 201010225898.4 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102315168A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林青山;吴坤泰;汪志昭 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 万学堂;周伟明 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 切割 方法 | ||
1.一种集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：
于一晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键，其中该些测试键分别形成于该些集成电路之间；
于该晶圆基板上形成一图案化保护层，该图案化保护层覆盖该复数个集成电路并暴露该复数个测试键；
使用该图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除该些测试键；以及
切割该些集成电路之间的区域，以形成复数个集成电路晶粒。
2.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该图案化保护层是光阻。
3.如权利要求2所述的集成电路晶圆切割方法，其中该图案化保护层的形成步骤包含：
形成一光阻层以覆盖该晶圆基板；
使用一光罩，对该光阻层进行曝光；以及
对该光阻层进行显影，以形成该图案化保护层。
4.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该蚀刻步骤包含使用干式蚀刻工艺。
5.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该蚀刻步骤包含使用湿式蚀刻工艺。
6.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该蚀刻步骤进一步包含于该些测试键的位置形成复数个凹槽，该切割步骤进一步包含沿该些凹槽切割。
7.一种集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：
提供一晶圆基板，包含复数个集成电路，其中该些集成电路以切割路径分隔；
于该晶圆基板上形成一图案化保护层，该图案化保护层覆盖该复数个集成电路并暴露该切割路径；
使用该图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除该切割路径中的金属层；以及
沿该切割路径切割该晶圆基板，以形成复数个集成电路晶粒。
8.如权利要求7所述的集成电路晶圆切割方法，其中该图案化保护层形成步骤包含：利用光阻材料形成该图案化保护层。
9.如权利要求7所述的集成电路晶圆切割方法，其中该去除该切割路径中的金属层步骤包含：去除该切割路径中的测试键。
10.如权利要求7所述的集成电路晶圆切割方法，更包含于该蚀刻步骤后，去除该图案化保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
