[发明专利]含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物，其特征在于，具有以下结构式(III)：

其中，n为1～100间的整数；R₁和R₂为氢或C₁～C₃₂的烷基。

2.一种含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物的制备方法，其特征在于，是在无氧环境中，将5，15-二溴-10，20-烷基咔唑卟啉或其衍生物(I)与双三丁基锡-喹喔啉(II)在催化剂和溶剂存在条件下进行Stille耦合反应，得到含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物(III)，反应式如下：

其中，n为1～100间的整数；R₁和R₂为氢或C₁～C₃₂的烷基。

3.根据权利要求2所述的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物的制备方法，其特征在于：所述5，15-二溴-10，20-烷基咔唑卟啉(I)与所述双三丁基锡-喹喔啉(II)的摩尔比为1∶1.5～1.5∶1；所述Stille耦合反应温度为50-130℃，反应时间为12～72小时。

4.根据权利要求2所述的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物的制备方法，其特征在于：所述催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物。

5.根据权利要求4所述的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物的制备方法，其特征在于：所述有机钯为Pd₂(dba)₃、Pd(OAc)₂、Pd(PPh₃)₄或Pd(PPh₃)₂Cl₂中的至少一种；所述有机磷配体为三环己基膦或P(o-Tol)₃中的至少一种；所述有机钯和所述有机磷配体的摩尔比为1∶2～1∶20。

6.根据权利要求2或4或5所述的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物的制备方法，其特征在于：所述催化剂的摩尔量为所述双三丁基锡-喹喔啉(II)的摩尔量的0.05％～30％。

7.根据权利要求2所述的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物的制备方法，其特征在于：所述溶剂为苯、甲苯、乙二醇二甲醚、四氢呋喃中的至少一种。

8.一种有机太阳能电池器件，依次包括玻璃基材、设在所述玻璃基材上的导电层、涂敷在所述导电层上的聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)层、涂敷在所述聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)层上的活性层、沉积在所述活性层上的金属Al层及用于封装上述各层的环氧树脂，所述活性层包括电子给体材料和电子受体材料，所述电子受体材料为[6，6]苯基-C₆₁-丁酸甲酯，其特征在于，所述电子给体材料为具有结构式(III)的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物：

其中，n为1～100间的整数；R₁和R₂为氢或C₁～C₃₂的烷基。

9.一种有机电致发光器件，依次包括玻璃基材、设在所述玻璃基材上的导电层、涂敷在所述导电层上的发光层、蒸镀在所述发光层上的LiF缓冲层和沉积在所述LiF缓冲层上的金属Al层，其特征在于，所述发光层为具有结构式(III)的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物：

其中，n为1～100间的整数；R₁和R₂为氢或C₁～C₃₂的烷基。

10.一种有机场效应晶体管器件，依次包括掺杂硅片基材、设在所述掺杂硅片基材表面的SiO₂绝缘层、涂敷在所述SiO₂表面的十八烷基三氯硅烷修饰层、涂敷在所述十八烷基三氯硅烷修饰层之上的有机半导体层及设置有机半导体层表面的源电极和漏电极，其特征在于，所述有机半导体层为具有结构式(III)的含咔唑卟啉-喹喔啉共聚物：

其中，n为1～100间的整数；R₁和R₂为氢或C₁～C₃₂的烷基。