[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法

权利要求书

1.一种单晶金刚石生长用基材，是用于使单晶金刚石生长的基材，其特征在于，至少具有单晶SiC基板和在该单晶SiC基板的生长所述单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。

2.根据权利要求1所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述单晶SiC基板的晶体结构是立方晶系的β-SiC。

3.根据权利要求1或2所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述单晶SiC基板的厚度为0.03mm～20.00mm。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述铱膜或铑膜是用溅射法异质外延生长的膜。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述铱膜或铑膜的厚度为～100μm。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述铱膜或铑膜的表面实施了偏压处理。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述单晶SiC基板和所述铱膜或铑膜之间具有异质外延生长的MgO膜。

8.根据权利要求7所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述MgO膜是在所述单晶SiC基板上用溅射法或电子束蒸镀法异质外延生长的膜。

9.根据权利要求7或者8所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述MgO膜的厚度为～100μm。

10.一种单晶金刚石基板的制造方法，其特征在于，至少具有以下工序：

准备单晶SiC基板的工序，

在该准备的单晶SiC板上使铱膜或铑膜异质外延生长的工序，

在该异质外延生长的铱膜或铑膜上使单晶金刚石异质外延生长的工序，

将该异质外延生长的单晶金刚石分离，得到单晶金刚石基板的工序。

11.根据权利要求10所述的单晶金刚石基板的制造方法，其特征在于，在所述使铱膜或铑膜异质外延生长的工序之前，进行在所述单晶SiC基板上使MgO膜异质外延生长的工序，在该MgO膜上使所述铱膜或铑膜异质外延生长。

12.根据权利要求10或11所述的单晶金刚石基板的制造方法，其特征在于，在所述使单晶金刚石异质外延生长的工序之前，预先对所述铱膜或铑膜的表面实施偏压处理。

13.根据权利要求10至12中的任一项所述的单晶金刚石基板的制造方法，其特征在于，在所述使单晶金刚石异质外延生长的工序中，通过微波化学气相沉积法或直流等离子体化学气相沉积法使单晶金刚石异质外延生长。