[发明专利]双极接面晶体管装置有效
| 申请号： | 201010226299.4 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315256A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林正基;许维勋;杜硕伦;连士进;叶清本 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极接面 晶体管 装置 | ||
1.一种双极接面晶体管装置，其特征在于，包括一基极区、一射极区与一集极区，该双极接面晶体管装置包括：
一基底；
一深井区，位于该基底中；
一第一井区，位于该深井区中以作为该基极区；
一第二井区，位于该深井区中以作为该集极区，该第二井区与该第一井区之间形成一第一接面；以及
一第一掺杂区，位于该第一井区中以作为该射极区，该第一掺杂区与该第一井区之间形成一第二接面；
其中该第一掺杂区包括往一第一方向延伸的一第一部分，及往与该第一方向不同的一第二方向延伸的一第二部分，该第一部分与该第二部分互相耦接。
2.如权利要求1所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，该第一部分与该第二部分互相交叉成一十字图案。
3.如权利要求1所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，该第一掺杂区还包括一第三部分，其耦接至该第一部分与该第二部分，该第三部分往与该第一方向及该第二方向不同的一第三方向延伸。
4.如权利要求1所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，该第一掺杂区还包括一第三部分，其耦接至该第一部分与该第二部分，该第三部分往该第一方向与该第二方向其中的一延伸。
5.如权利要求1所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，还包括至少一个第二掺杂区散布于该第一井区中，与一第三掺杂区位于该第二井区中。
6.如权利要求5所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，该至少一个第二掺杂区散布于该第一掺杂区的周围。
7.如权利要求5所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，该至少一个第二掺杂区包括由该第一掺杂区的该第一部分与该第二部分所分开的掺杂区。
8.如权利要求5所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，该第一掺杂区还包括一第三部分，且其中该至少一个第二掺杂区包括由该第一掺杂区的该第一部分、该第二部分与第三部分所分开的掺杂区。
9.一种双极接面晶体管装置，其特征在于，包括一基极区、一射极区与一集极区，该双极接面晶体管装置包括：
一基底；
一深井区，位于该基底中；
一第一井区，位于该深井区中以作为该基极区；
一第二井区，位于该深井区中以作为该集极区；
一第一掺杂区，位于该第一井区中以作为该射极区；
至少一个第二掺杂区，散布于该第一井区中，该第一井区上设置有至少一个基极电极；以及
一第三掺杂区，位于该第二井区中，该第二井区上设置有至少一个集极电极；
其中该至少一个第二掺杂区散布于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间。
10.如权利要求9所述的双极接面晶体管装置，其特征在于，该第一掺杂区包括往一第一方向延伸的一第一部分，及往与该第一方向不同的一第二方向延伸的一第二部分，该第一部分与该第二部分互相耦接。
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