[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的半导体层；

在上述半导体层上的隔离层；

在上述隔离层上的n型掺杂层；

与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及

在上述隔离层上的与上述n型掺杂层分离的栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在上述栅极和上述n型掺杂层之间的钝化层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，上述n型掺杂层与上述源极和漏极接触。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，上述栅极包括场板结构。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括浮栅结构。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括在上述栅极和上述隔离层之间的介质层。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，上述半导体层、上述隔离层和上述n型掺杂层包括III族氮化物半导体层，其中III价原子包括铟、铝、镓或其组合。

8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，上述隔离层包括AlN层或Al组分大于30％的AlGaN层。

9.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上沉积半导体层；

在上述半导体层上沉积隔离层；

在上述隔离层上沉积n型掺杂层；

蚀刻上述n型掺杂层以露出上述隔离层的一部分；

在上述隔离层的露出的部分上形成与上述n型掺杂层分离的栅极；以及

形成与上述半导体层电气相通的源极和漏极。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在上述栅极和上述n型掺杂层之间形成钝化层的步骤。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，上述n型掺杂层与上述源极和漏极接触。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其中，上述形成栅极的步骤包括形成场板结构和/或浮栅结构的步骤。

13.根据权利要求9或10所述的方法，还包括在上述栅极和上述隔离层之间形成介质层的步骤。

14.根据权利要求9或10所述的方法，其中，上述半导体层、上述隔离层和上述n型掺杂层包括III族氮化物半导体层，其中III价原子包括铟、铝、镓或其组合。

15.根据权利要求9或10所述的方法，其中，上述隔离层包括AlN层或Al组分大于30％的AlGaN层。

16.根据权利要求9或10所述的方法，其中，上述形成源极和漏极的步骤包括利用离子注入或退火形成欧姆接触的步骤。