[发明专利]RF同轴连接器的耦合损耗降低电路无效
申请号: | 201010226522.5 | 申请日: | 2010-07-08 |
公开(公告)号: | CN102244327A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 崔铜旭 | 申请(专利权)人: | 崔铜旭 |
主分类号: | H01R13/719 | 分类号: | H01R13/719 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | rf 同轴 连接器 耦合 损耗 降低 电路 | ||
1.一种RF同轴连接器的耦合损耗降低电路,其特征在于,对于在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路,与所述电容器并列设置相同容量的电容器,从而补偿损耗。
2.一种RF同轴连接器的耦合损耗降低电路,其特征在于,对于在RF同轴连接器周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路,在连接所述信号的输入端和输出端的信号通路上设置与所述电容器具有相同容量的电容器,并在所述输出端和接地之间设置振荡线圈,通过线圈和电容器构成的振荡电路来补偿损耗。
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